- SpaceX оценила себя в $800 млрд и снова... (700)
- SpaceX рассчитывает выйти на биржу в конце... (783)
- В Китае показали обновленный Chery Tiggo 9:... (1027)
- Рассекречен кроссовер Omoda C5 нового... (903)
- Новая статья: Of Ash and Steel — мода на... (1009)
- One UI 8.5 раскрыла дизайн Samsung Galaxy... (1078)
- Jolla Phone с Sailfish OS возвращаются.... (908)
- SpaceX может получить оценку $800 млрд:... (920)
- Культовый Lexus LFA возвращается:... (966)
- Карманный компьютер меньше смартфона,... (959)
- Культовый российский хоррор «Зайчик» получил... (958)
- Анонсирован триллер-головоломка Rivage,... (1085)
- Электронная книга в формате смартфона и с... (964)
- Монструозные процессоры AMD станут немного... (1025)
- Японцы придумали «полицейский радар для... (926)
- The New York Times обвинила ИИ-стартап... (1010)
Galaxy оснащает твердотельный накопитель HOF M.2 PCIe радиатором с тепловой трубкой
Дата: 2019-03-29 13:15
Высокопроизводительные твердотельные накопители типоразмера M.2, поддерживающие NVMe, нуждаются в охлаждении для стабильной работы, поэтому неудивительно, что соответствующие радиаторы можно встретить в комплекте системных плат со слотами M.2. Некоторые производитель сразу устанавливают радиаторы на свои SSD. Примером служит новинка компании Galaxy, показанная на иллюстрациях. Накопитель HOF M.2 PCIe снабжен алюминиевым радиатором с тепловой трубкой, которая напрямую контактирует с контроллером и микросхемами флеш-памяти.
Кстати, в накопителе используется восьмиканальный контроллер Phison PS5012-E12 и 64-слойная флеш-память TLC 3D NAND производства Toshiba.
На иллюстрациях видно, что радиатор выступает за края печатной платы. По мнению источника, из-за того установка таких накопителей на карту расширения с несколькими близко расположенными слотами M.2 может оказаться невозможна.
Предложено три варианта объема: 512 ГБ, 1 ТБ и 2 ТБ. Все они обеспечивают скорость последовательного чтения до 3400 МБ/с. Модели объемом 1 ТБ и 2 ТБ записывают данные со скоростью до 2800 МБ/с, а модель объемом 512 ГБ — со скоростью до 2000 МБ/с. Производительность на операциях с произвольным доступом в случае моделей объемом 1 ТБ и 2 ТБ достигает 400 000 IOPS в режиме чтения и 600 000 IOPS в режиме записи. Показатели модели объемом 512 ГБ — 400 000 IOPS и 540 000 IOPS соответственно.
Сначала новинка появится в Китае, но позже должны начаться продажи и в других странах. Цены источник не приводит.
КомментироватьПодробнее на iXBT
Предыдущие новости
Oppo Reno робко прячет... фронтальную камеру на первых фотографиях
На сайте китайского регулятора TENAA появились живые фотографии младшей версии смартфона Oppo Reno, который оснащен выдвижной камерой нестандартной конструкции. Примечательно то, что фотографий самой фронтальной камеры в рабочем состоянии в базе данных TENAA не обнаружилось. Основная камера смартфона является сдвоенной. На тот случай, если вы пропустили видеоролик, в котором...
Габариты процессорной системы охлаждения SilverStone Krypton KR02 — 92 х 125 х 76 мм
С пометкой «новинка» в ассортименте SilverStone появилась процессорная система охлаждения Krypton KR02. Это компактная модель классической компоновки, рассчитанная на тепловые нагрузки до 130 Вт. Она совместим с процессорными разъемами Intel LGA775, 115X, 1366, 2011, 2066 и AMD AM2 AM3, AM4, FM1, FM2. Поддержка AMD AM4 добавляется путем приобретения дополнительного...
EK Water Blocks представила водоблоки для платы ROG Dominus и процессоров Intel Xeon
Компания EK Water Blocks представила пару водоблоков, предназначенных для создания высокопроизводительных рабочих станцией на базе материнской платы ASUS ROG Dominus Extreme и процессоров Intel Xeon. Водоблок EK-Velocity WS подойдёт для любых процессоров Intel Xeon в исполнении LGA 3647 (Socket P), в частности, для «потребительского» Xeon W-3175X. Вторая новинка, именуемая...
Секреты iPhone XI: рабочая документация проливает свет на конструкцию нового смартфона
В распоряжении сетевых источников оказалась, как утверждается, конструкторская документация смартфона iPhone XI, который проектирует компания Apple. На опубликованном ниже изображении показаны рамка устройства и панель с отверстиями для электронных компонентов. Особого внимания заслуживает верхняя левая область, дающая представление о компоновке основной...