- Лучше поздно, чем никогда: спустя три года... (7428)
- 9100 мАч, 100 Вт, мощное охлаждение,... (5679)
- Нитрид галлия, 100 Вт, четыре USB-C и... (5583)
- 1300 часов при экстремальной температуре и... (7662)
- В России будут делать блоки питания для... (7158)
- В открытый доступ попал геймплей Star Wars:... (6019)
- У GitHub произошёл глобальный сбой —... (5021)
- Проверенный инсайдер рассекретил дату выхода... (5256)
- В Firefox для iPhone появился встроенный... (7673)
- Apple предписали убрать препятствия для... (6534)
- RAMагеддон наступил: цены на оперативную... (5429)
- Geekom случайно раздавала вредоносное ПО... (7526)
- Представлен умный аквариум Xiaomi: кормит... (5912)
- Samsung кардинально переработает Galaxy S27,... (7537)
- «Ещё одна причина жить дальше»: культовое... (6842)
- Такого самолета нет ни у Boeing, ни у... (7033)
Apple заказывает 4-дюймовые экраны для новых iPhone
Дата: 2012-05-17 23:24
Подробнее на Yandex.ru
Предыдущие новости
Японский вариант Samsung Galaxy S III получил 2 Гбайт ОЗУ и 2-ядерный S4
Японский сотовый оператор NTT Docomo подтвердил ресурсу The Verge, что вариант смартфона Samsung Galaxy S III для их сетей получит внушительные 2 Гбайт оперативной памяти — после выхода LG Optimus LTE 2 такой объём, похоже, становится всё популярнее сегодня во...Похожие статьиApple уже заказывает 4-дюймовые экраны для нового iPhone?Источники Reuters подтвердили информацию о...
Samsung первой выпускает мобильную память LPDDR2 плотностью 4 Гбит по нормам 2x нм
В Samsung ожидают, что новая память быстро вытеснит микросхемы памяти LPDDR2 объемом 1 ГБ, выпускаемые сейчас по нормам 3x нм. Используя компоненты плотностью 4 Гбит, Samsung может изготавливать микросхемы объемом 2 ГБ, толщина которых не превышает 0,8...
Samsung первой выпускает мобильную память LPDDR2 плотностью 4 Гбит по нормам 2x нм
По сообщению компании Samsung Electronics, она первой в отрасли приступила к выпуску компонентов памяти типа LPDDR2 плотностью 4 Гбит по технологии 20-нанометрового класса. Серийный выпуск памяти, предназначенной для мобильных устройств, начался в апреле. В Samsung ожидают, что новая память быстро вытеснит микросхемы памяти LPDDR2 объемом 1 ГБ, выпускаемые сейчас по нормам 3x...
PQI заключила «флэшку» Intelligent Drive U821V в корпус из нержавеющей стали
Компания PQI сообщила о выпуске нового накопителя на базе флэш-памяти - изделие получило название Intelligent Drive U821V. Новинка заключена в корпус из нержавеющего металла, благодаря чему «флэшка» имеет привлекательный внешний вид (создатели считают ее отличным аксессуаром для владельца ультрабука) и хорошо сопротивляется неблагоприятным условиям внешней среды. Intelligent Drive...