- В «СберБанке Онлайн» появились реакции на... (5075)
- UMO 5 третий месяц подряд лидирует на рынке... (5204)
- Комета стала ярче в 10 000 раз — одну из... (7503)
- 7500 мАч, IP64 и 120 Гц — всего 175... (7420)
- Китай запустил «Чанчжэн»: ракета вывела на... (6164)
- «Это кризис доверия»: глава Anthropic... (7576)
- OpenAI штормит перед IPO — компания... (7692)
- AMOLED, 120 Гц, 8560 мА·ч, защита от ударов... (5453)
- Компактный флагман: Honor Magic 9 будет... (4200)
- Съемные батареи возвращаются: неубиваемый... (5389)
- 600 тысяч вакансий на одной карте: 2ГИС... (6388)
- Тайваньский инженер пытался украсть... (4933)
- Танки, корабли и бонусы: МТС запустил... (6236)
- Отмоет даже засохший соус. Roborock... (6527)
- Thunderbolt 5, 140 Вт, 10GbE, NVMe и... (4413)
- Миниатюрный настольный ПК в корпусе менее 7... (5802)
Apple заказывает 4-дюймовые экраны для новых iPhone
Дата: 2012-05-17 23:24
Подробнее на Yandex.ru
Предыдущие новости
Японский вариант Samsung Galaxy S III получил 2 Гбайт ОЗУ и 2-ядерный S4
Японский сотовый оператор NTT Docomo подтвердил ресурсу The Verge, что вариант смартфона Samsung Galaxy S III для их сетей получит внушительные 2 Гбайт оперативной памяти — после выхода LG Optimus LTE 2 такой объём, похоже, становится всё популярнее сегодня во...Похожие статьиApple уже заказывает 4-дюймовые экраны для нового iPhone?Источники Reuters подтвердили информацию о...
Samsung первой выпускает мобильную память LPDDR2 плотностью 4 Гбит по нормам 2x нм
В Samsung ожидают, что новая память быстро вытеснит микросхемы памяти LPDDR2 объемом 1 ГБ, выпускаемые сейчас по нормам 3x нм. Используя компоненты плотностью 4 Гбит, Samsung может изготавливать микросхемы объемом 2 ГБ, толщина которых не превышает 0,8...
Samsung первой выпускает мобильную память LPDDR2 плотностью 4 Гбит по нормам 2x нм
По сообщению компании Samsung Electronics, она первой в отрасли приступила к выпуску компонентов памяти типа LPDDR2 плотностью 4 Гбит по технологии 20-нанометрового класса. Серийный выпуск памяти, предназначенной для мобильных устройств, начался в апреле. В Samsung ожидают, что новая память быстро вытеснит микросхемы памяти LPDDR2 объемом 1 ГБ, выпускаемые сейчас по нормам 3x...
PQI заключила «флэшку» Intelligent Drive U821V в корпус из нержавеющей стали
Компания PQI сообщила о выпуске нового накопителя на базе флэш-памяти - изделие получило название Intelligent Drive U821V. Новинка заключена в корпус из нержавеющего металла, благодаря чему «флэшка» имеет привлекательный внешний вид (создатели считают ее отличным аксессуаром для владельца ультрабука) и хорошо сопротивляется неблагоприятным условиям внешней среды. Intelligent Drive...