- Первому смартфону Xiaomi исполнилось 15... (8191)
- Представлен лазерный уничтожитель комаров... (5618)
- Nvidia ускоряет подготовку к выходу на рынок... (7335)
- Xiaomi Mi 6 получил HyperOS 4 на базе... (8331)
- SK Hynix отказалась менять неисправный SSD и... (8601)
- Власти США предостерегают союзников от... (6688)
- Baseus представила аккумулятор на 20 000... (7878)
- Представлен Geely Galaxy TT за $21 400:... (7845)
- Проехал по потолку тоннеля, но сначала упал... (6386)
- Samsung Galaxy S27 получит радикально новый... (7947)
- Новый смартфон Poco M8x 5G показали до... (6080)
- Обвиняемый в промышленном шпионаже... (7586)
- Целая россыпь портов, включая два... (6525)
- Toyota зарегистрировала в России Hilux и... (8932)
- «Камаз» готовит беспилотные... (8723)
- Новая статья: Big Walk — друзья познаются на... (8793)
Apple заказывает 4-дюймовые экраны для новых iPhone
Дата: 2012-05-17 23:24
Подробнее на Yandex.ru
Предыдущие новости
Японский вариант Samsung Galaxy S III получил 2 Гбайт ОЗУ и 2-ядерный S4
Японский сотовый оператор NTT Docomo подтвердил ресурсу The Verge, что вариант смартфона Samsung Galaxy S III для их сетей получит внушительные 2 Гбайт оперативной памяти — после выхода LG Optimus LTE 2 такой объём, похоже, становится всё популярнее сегодня во...Похожие статьиApple уже заказывает 4-дюймовые экраны для нового iPhone?Источники Reuters подтвердили информацию о...
Samsung первой выпускает мобильную память LPDDR2 плотностью 4 Гбит по нормам 2x нм
В Samsung ожидают, что новая память быстро вытеснит микросхемы памяти LPDDR2 объемом 1 ГБ, выпускаемые сейчас по нормам 3x нм. Используя компоненты плотностью 4 Гбит, Samsung может изготавливать микросхемы объемом 2 ГБ, толщина которых не превышает 0,8...
Samsung первой выпускает мобильную память LPDDR2 плотностью 4 Гбит по нормам 2x нм
По сообщению компании Samsung Electronics, она первой в отрасли приступила к выпуску компонентов памяти типа LPDDR2 плотностью 4 Гбит по технологии 20-нанометрового класса. Серийный выпуск памяти, предназначенной для мобильных устройств, начался в апреле. В Samsung ожидают, что новая память быстро вытеснит микросхемы памяти LPDDR2 объемом 1 ГБ, выпускаемые сейчас по нормам 3x...
PQI заключила «флэшку» Intelligent Drive U821V в корпус из нержавеющей стали
Компания PQI сообщила о выпуске нового накопителя на базе флэш-памяти - изделие получило название Intelligent Drive U821V. Новинка заключена в корпус из нержавеющего металла, благодаря чему «флэшка» имеет привлекательный внешний вид (создатели считают ее отличным аксессуаром для владельца ультрабука) и хорошо сопротивляется неблагоприятным условиям внешней среды. Intelligent Drive...