Университетский колледж Лондона (UCL) стал местом, где впервые удалось создать чипы «резистивной памяти с произвольным доступом» (Resistive RAM, ReRAM) на базе оксида кремния, работающие при обычных условиях. Это достижение открывает путь к новой сверхвысокоскоростной памяти, уверены исследователи.

Принцип работы ReRAM заключается в изменении сопротивления материала под действием напряжения. Память является энергонезависимой, то есть сохраняет свое состояние в отсутствие питания. К преимуществам ReRAM над широко используемой сейчас флэш-памятью относятся, помимо высокого быстродействия, более высокая плотность, большая долговечность и меньшее энергопотребление.

Работы по созданию ReRAM идут давно. Из недавних сообщений на эту тему можно вспомнить новость о прототипе ReRAM , созданном в компании Elpida Memory в начале этого года.

Отличие разработки UCL от всех предыдущих заключается в новой структуре ячейки памяти, состоящей из оксида кремния. Она характеризуется более высокой эффективность переключения ячейки из одного состояния в другое. Под действием переключающего напряжения в оксиде формируются или разрушаются кремниевые «нити», соответственно уменьшающие или увеличивающие сопротивление ячейки. Важно, что чип работает при обычных условиях, а не в вакууме, как другие разрабатываемые образцы, в которых тоже используется оксид кремния.

Любопытной особенностью новой памяти является возможность формирования ее в виде тонких прозрачных пленок, например, интегрируемых в сенсорные экраны мобильных устройств.

По сравнению с флэш-памятью энергопотребление памяти ReRAM, созданной в Лондоне, примерно в тысячу раз меньше, а ее быстродействие примерно в сто раз выше.

Интересно, что, как это случается в науке, новая память была создана не специально: исследователи изучали возможность использования оксида кремния в светодиодах и обратили внимание на нестабильность параметров пленки оксида и ее способность принимать два состояния.

Как скоро разработка придет в серийные электронные устройства, британские ученые не говорят.

Источник: Университетский колледж Лондона