- Новый уровень для Jetour: гибридный Jetour... (56)
- 11 000 мАч, 66 Вт, 100 Мп, максимальная... (49)
- Новая статья: Mafia: The Old Country —... (57)
- Новые китайские аккумуляторы вдвое обошли... (73)
- Ещё немного, и европейцы предпочтут... (86)
- 9600 мА·ч, небольшой шестидюймовый экран,... (92)
- Ответ Mercedes на совершенно новый BMW Neue... (88)
- Китайская ракета-носитель на метановом... (87)
- Почти микроскопический ноутбук менее чем за... (85)
- Круче «Нивы Bronto». «Промтех» показал новую... (83)
- Мошенники начали заменять контакты на... (81)
- OnePlus усложняет жизнь пользователям:... (84)
- Искусственный интеллект ускоряет... (92)
- Надпись Made in China станет редкостью. Asus... (87)
- Не только небо: DARPA приближает эру... (88)
- Ещё один топ за свои деньги? Представлен... (88)
Специалистами HGST создан самый быстрый в мире твердотельный накопитель
Дата: 2014-08-05 15:08
На мероприятии Flash Memory Summit 2014 в Сан-Хосе компания HGST, являющаяся дочерним предприятием Western Digital, представила новую архитектуру твердотельных накопителей. По словам разработчиков, продемонстрированный накопитель является самым быстрым в мире и дает представление, какими будут SSD будущего. В разработке нашел применение новый протокол, обеспечивающий минимальные задержки, и энергонезависимая память нового поколения.
Накопитель, использующий для передачи данных интерфейс PCIe, демонстрирует производительность 3 млн IOPS на операциях с произвольным доступом блоками по 512 байта. Задержка доступа при чтении составляет всего 1,5 мкс. Такие показатели на порядок превосходят возможности существующих архитектур SSD и флэш-памяти типа NAND.
В новом SSD используются компоненты памяти с эффектом изменения фазового состояния (phase-change memory, PCM) плотностью 1 Гбит. Память PCM существенно превосходит флэш-память типа NAND по скорости чтения.
Чтобы полностью раскрыть потенциал новой памяти, специалистам HGST пришлось разработать протокол интерфейс с малыми задержками, учитывающий особенности используемой технологии памяти. Микросхемы памяти, изготовленные по нормам 45 нм, и контроллер размещены на карте расширения полной высоты, полной длины c интерфейсом PCIe x4 Gen 2. К сожалению, объем прототипа накопителя производитель не называет. Как не говорит о сроках появления подобных накопителей на рынке и их цене.
Источник: HGST
Теги: HGST КомментироватьПодробнее на iXBT
Предыдущие новости
Фотогалерея дня: смартфон Samsung Galaxy Alpha
Источник опубликовал серию снимков, на которых запечатлен смартфон Samsung Galaxy Alpha. На снимках показан белый вариант аппарата. По предварительным данным, смартфон получил экран разрешением 1280 х 720 пикселей. Основой Galaxy Alpha служит SoC Samsung Exynos 5433, процессор которой по производительности превосходит SoC Qualcomm Snapdragon 805. В конфигурацию...
Шпионские фото Huawei Ascend D3 указали на присутствие сканера отпечатков пальцев
Несколько дней назад Huawei начала рассылать приглашения на мероприятие, которое пройдёт 4 сентября 2014 года. Китайская компания не сообщила, что собирается показать через месяц. Одним из вероятных кандидатов на предстоящую презентацию является крупноразмерная модель Ascend D3. В Сети появились шпионские фотографии, на которых запечатлено множество экземпляров корпуса этого...
Студентам предоставляется значительная скидка на Microsoft Surface Pro 3
В начале августа в США и Канаде поступили в продажу версии 12-дюймового планшета Microsoft Surface Pro 3 с процессорами четвёртого поколения Intel Core i3 и Core i7. Цена модели Surface Pro 3 с процессором Intel Core i3-4020Y, 4 Гбайт ОЗУ и 64 Гбайт флеш-памяти равна $799, а стоимость модели на базе Core i7-4650U стартует с...
Пользователи «Яндекс.Диска» получили доступ к файлам в режиме офлайн
Версия для Android предлагает несколько дополнительных функций - в частности, офлайн-режим не только для файлов, но и для папок. «Яндекс »предлагает переводить в этот режим сразу всю папку с потенциально необходимыми в поездке...