Компания SK Hynix в этом году пополнит узкий круг производителей, серийно выпускающих флэш-память с объемной компоновкой (3D NAND), утверждает источник со ссылкой на слова руководства компании, сказанные в ходе недавней пресс-конференции по итогам квартала.

Еще в конце прошлого года специалистами южнокорейской компании были завершены приготовления к серийному выпуску такой памяти и созданы 24-слойные образцы. Серийный выпуск в SK Hynix намерены начать с 36-слойных чипов, а в будущем году перейти к 48-слойным.

Ожидается, что основной конкурент компании, Samsung Electronics, развернет серийный выпуск 48-слойной памяти 3D NAND еще в этом году. Компания Samsung первой начала серийный выпуск флэш-памяти NAND с объемной компоновкой — в августе 2013 года было объявлено о выпуске 24-слойной памяти V-NAND плотностью 128 Гбит. В мае прошлого года компания Samsung начала серийный выпуск первых 32-слойных чипов флэш-памяти 3D V-NAND и SSD, в которых они используются.

Месяц назад свой вариант 48-слойной флэш-памяти 3D NAND (BiCS) представили SanDisk и Toshiba. В гонке также участвуют Intel и Micron.

Многослойная компоновка позволяет повысить плотность чипов, разместив на той же площади кристалла большее число ячеек.

Источник: CDR Info