Компания Micron Technology представила свое первое изделие на базе 3D NAND, оптимизированное для использования в мобильных устройствах и соответствующее спецификации Universal Flash Storage (UFS) 2.1. Его объем — 32 ГБ. Уточним, что в 32-слойном кристалле используется память с плавающим затвором. По данным Micron, площадь кристалла, равная 60,217 мм², является минимальной по отрасли, будучи примерно втрое меньше, чем у планарной памяти такой же плотности.

Производитель отмечает использование интерфейса LPDDR4X, который позволит существенно уменьшить энергопотребление в однокорпусных изделиях с памятью DRAM за счет снижения напряжения питания цепей ввода-вывода с 1,1 до 0,6 В.

Память 3D NAND упаковывается в корпуса PoP размерами 9 x 9 мм или MCP размерами 8,5 x 11 мм. Другие технические подробности производитель пока не раскрывает, обещая сделать новую память широкодоступной до конца года. Поставки ознакомительных образцов уже начались. По словам Micron, эта память предназначена для смартфонов следующего поколения, относящихся к верхнему сегменту.

Источник: Micron