- «Взяли Chery Tiggo 4 Pro – и «натянули»... (2241)
- «Совершенный симбиотический телефон».... (2136)
- Три версии OnePlus 13 показали перед... (2046)
- Xiaomi создала первый китайский 3-нм чип для... (1912)
- Представлен Samsung Galaxy Z Fold 6 Special... (1994)
- Новейший Honor Magic 7 показали вживую перед... (1940)
- «Лучшее техническое решение». Ferrari... (2121)
- Даже бензиновые BMW теперь будут выглядеть... (2184)
- Ультраредкий двигатель от McLaren P1 LM... (2063)
- Представлен Dodge Durango 2025, который... (1821)
- Представлен внедорожник Mazda BT-50... (2286)
- TSMC продолжит расширять мощности по... (1904)
- Знаменитый Ferrari Михаэля Шумахера... (2090)
- Никакой электрификации, только ДВС мощностью... (1911)
- Уникальный внедорожник и пикап в одной... (2160)
- Низкое качество монтажа, небрежно... (1811)
В Москве пройдет Blockchain & Bitcoin Conference Russia
Дата: 2016-10-17 16:38
Подробнее на Yandex.ru
Предыдущие новости
Омское УФАС оштрафовало «Билайн» на 100 тысяч рублей
Омское управление ФАС оштрафовало ПАО «Вымпелком» на 100 тыс. рублей за рекламное SMS-сообщение. По данным антимонопольной службы, которые приводит Om1.ru, 6 июля клиент «Билайн» получил SMS-ку с предложением кредита от банка «Восточный». Абонент заявил, что не давал согласия на получение...
Число программных продуктов в реестре отечественного ПО превысило 2000
Министерство связи и массовых коммуникаций РФ сообщает о включении в Единый реестр российских программ для электронных вычислительных машин и баз данных 84 программных продуктов. Таким образом, на сегодняшний день реестр российского ПО содержит 2037 программных...
PSW.OnLineGames охотится за Steam-аккаунтами
В какой-то момент потенциальную жертву просят установить приложение, например, программу для голосовой связи с партнерами
Samsung запустила первое массовое производство 10-нм FinFET-чипов
Компания Samsung Electronics сообщила о начале массового производства первой на рынке однокристальной системы (SoC, System-on-Chip) по 10-нанометровому техпроцессу FinFET. Чип Samsung на базе 10-нм FinFET (10LPE) получил транзисторную...