- Mercedes-Benz и Nvidia запустят систему... (638)
- Можно на Intel, можно и на AMD, но оба... (629)
- Китайский робот-собака Pudu D5 с... (803)
- Реликтовое излучение против распределения... (654)
- Самый быстрый и яркий игровой OLED-монитор... (1182)
- Стартап Odinn показал на CES 2026... (941)
- Первый ПК с голографическими вентиляторами:... (1094)
- Sony Honda Mobility запустила производство... (1214)
- Narwal Flow 2: робот-пылесос с... (1270)
- Астрономы впервые обнаружили реликтовый... (772)
- Asus сворачивает выпуск новых смартфонов в... (657)
- Gigabyte показала GeForce RTX 5090 Infinity... (776)
- Qualcomm укрепляет позиции в автоиндустрии... (1029)
- Asus представила обновлённый игровой ноутбук... (824)
- Для комфортной игры в 007 First Light... (1040)
- «Хаббл» обнаружил «несостоявшуюся галактику»... (1089)
В Москве пройдет Blockchain & Bitcoin Conference Russia
Дата: 2016-10-17 16:38
Подробнее на Yandex.ru
Предыдущие новости
Омское УФАС оштрафовало «Билайн» на 100 тысяч рублей
Омское управление ФАС оштрафовало ПАО «Вымпелком» на 100 тыс. рублей за рекламное SMS-сообщение. По данным антимонопольной службы, которые приводит Om1.ru, 6 июля клиент «Билайн» получил SMS-ку с предложением кредита от банка «Восточный». Абонент заявил, что не давал согласия на получение...
Число программных продуктов в реестре отечественного ПО превысило 2000
Министерство связи и массовых коммуникаций РФ сообщает о включении в Единый реестр российских программ для электронных вычислительных машин и баз данных 84 программных продуктов. Таким образом, на сегодняшний день реестр российского ПО содержит 2037 программных...
PSW.OnLineGames охотится за Steam-аккаунтами
В какой-то момент потенциальную жертву просят установить приложение, например, программу для голосовой связи с партнерами
Samsung запустила первое массовое производство 10-нм FinFET-чипов
Компания Samsung Electronics сообщила о начале массового производства первой на рынке однокристальной системы (SoC, System-on-Chip) по 10-нанометровому техпроцессу FinFET. Чип Samsung на базе 10-нм FinFET (10LPE) получил транзисторную...