- В России начнут выпускать альтернативу... (3942)
- В Китае с 2027 года запретят электромобили с... (3716)
- Belgee, Tenet, Solaris и Toyota входят в... (3022)
- Руководители Microsoft и Google «разбили... (4537)
- Китайский производитель Zephyr рассказал о... (3072)
- Космодром Восточный полностью достроят в... (2726)
- Бывший SsangYong готовит конкурента для... (3743)
- Мессенджер MAX стал обязательным для ЖКХ —... (3603)
- Беспроводные 66 Вт и активное охлаждение —... (2686)
- Ракета «Союз-2.1б» запустила с Восточного... (3680)
- TSMC эвакуировала часть предприятий из-за... (3324)
- Гибридный кроссовер с самой большой тяговой... (3989)
- Не IPS/VA, не OLED и даже не E Ink. Планшет... (3147)
- Китайские умельцы поставили на поток... (3446)
- OpenAI открыла вакансию на новую руководящую... (3204)
- YouTube заваливает новых пользователей... (2675)
Эскиз внутренней начинки iPhone 8 демонстрирует расположение SoC A11, двух аккумуляторов и прочих компонентов
Дата: 2017-04-27 12:33
Известный инсайдер под ником @VenyaGeskin1 разместил на своей страничке в социальной сети Twitter несколько новых изображений, которые касаются грядущего смартфона iPhone 8 или iPhone X.
Первый эскиз, по данным @VenyaGeskin1, создан с точностью около 70% на основании полученных от источников из цепочки поставок данных. Он демонстрирует расположение внутренних комплектующих смартфона.
Эскиз подтверждает вертикальное расположение модулей сдвоенной камеры, а также наличие дисплея, который занимает почти всю лицевую часть смартфона. Однокристальная система Apple A11 располагается под камерой, примерно на том же уровне находится модуль Wi-Fi. Они расположены на двух многослойных печатных платах (MLB), которые перекрывают друг друга на виде сверху. Еще ниже виден слот для карточки мобильной связи. Источники сообщают о двух аккумуляторах, которые отмечены желтым и персиковым цветами. Зимой сообщалось, что смартфон получит L-образный аккумулятор.
В верхней части лицевой панели находятся вырез разговорного динамика и 3D-камера, в нижней поместились два модуля 3D Touch и механизм Taptic Engine. В самом низу видны обозначения двух громкоговорителей.
@VenyaGeskin1 подтвердил, что дактилоскопический датчик разместили под поверхностью дисплея, устройство получило технологию беспроводной зарядки, фронтальная камера и прочие сенсоры скрыты под дисплеем. Якобы смартфон сможет распознавать трехмерные лица пользователей, он имеет класс защиты IP68 и будет работать под управлением iOS 11.
Согласно новым данным, в этом году нас ждут только iPhone 8 и iPhone 8 Plus.
Теги: Apple , iPhone КомментироватьПодробнее на iXBT
Предыдущие новости
Одноплатный ПК HiKey 960 основан на SoC Kirin 960 и оценивается в 240 долларов
Компания Huawei выпустила одноплатный компьютер HiKey 960. Устройство лишь формально можно назвать конкурентом Raspberry Pi, так как продукт Huawei намного дороже и производительнее. В основе ПК лежит SoC Kirin 960, на которой основаны актуальные флагманские смартфоны Huawei. Объём оперативной памяти составляет 3 ГБ (LPDDR4), а флэш-памяти у ПК 32 ГБ (UFS 2.0). ...
Western Digital начала поставки 12-Тбайт HDD Ultrastar He12
Компания Western Digital Corp в полном соответствии с обещаниями приступила к поставкам первых в индустрии 8-пластинных жёстких дисков Ultrastar He12 ёмкостью 12 Тбайт. Разработка модели была анонсирована в декабре прошлого года. Тогда же стартовали ознакомительные поставки новинки отдельным клиентам компании. С 26 апреля модель Ultrastar He12 данного объёма доступна для...
РАН: Таяние льдов в Арктике может привести к климатической катастрофе
Интенсивное таяние подводной мерзлоты Восточно-Сибирского шельфа ведет к высвобождению гигантского количества древнего органического вещества и способна повлиять на климатическую карту планеты, заявили в Дальневосточном отделении Российской академии...
Приоритетом науки США стал поиск внеземной жизни
Поддержку развития астробиологии утвердил президент Дональд Трамп Приоритетной задачей американской науки стал поиск внеземной жизни и отправка летательных космических аппаратов к объектам, на которых может быть...