- «Минимальные усилия, но максимальный... (7419)
- ИИ и нейроинтерфейс вернули парализованному... (6925)
- CATL и Tencent стали инвесторами DeepSeek,... (6670)
- Союзники США восстали против ограничений на... (8876)
- ИИ и массовые увольнения довели моральный... (8347)
- Серверы на отличных от x86 архитектурах... (7618)
- Японский учёный решил давнюю проблему... (6994)
- Apple изменит схему работы функции Hide My... (7193)
- Xbox решила судьбу Ninja Theory ещё до... (7560)
- Недовольные инвесторы подали иск против... (6711)
- Россиян стали засыпать SMS-рекламой из-за... (7721)
- Фьючерсы на SpaceX стали третьими по... (7764)
- Совсем иной маркетинг: глава Take-Two начал... (9140)
- Samsung показала ключевые компоненты для... (8058)
- «Яндекс» намерен к 2030 году оборудовать... (9976)
- Российские двигатели закончились: судьба... (7328)
Samsung начала массовое производство модулей флэш-памяти eUFS емкостью 512 ГБ для новых смартфонов
Дата: 2017-12-05 15:58
Компания Samsung Electronics заявила о том, что она приступила к массовому производству модулей флэш-памяти eUFS (embedded Universal Flash Storage) емкостью 512 ГБ, которые предназначены для новых мобильных устройств.
Южнокорейский гигант напомнил, что Samsung удалось вдвое нарастить емкость флэш-накопителей для смартфонов за неполные два года: модули eUFS емкостью 256 ГБ были выпущены в феврале 2016 года. При этом производитель отмечает, что новые модули по размерам являются идентичными предыдущим. В корпусе того же размера размещены восемь 64-слойных микросхем V-NAND плотностью 512 Гбит и контроллер.
В пресс-релизе говорится, что во флэш-памяти такого объема поместятся 130 10-минутных видеороликов разрешением 3840 х 2160 пикселей, тогда как на современных смартфонах, оснащенных 64 ГБ флэш-памяти, можно сохранить в 10 раз меньше подобных материалов.
Последовательная скорость чтения и записи достигает 860 и 255 МБ/с соответственно. Видеоролик разрешением 1920 х 1080 пикселей размером 5 ГБ будет скопирован примерно за 6 секунд. При использовании карт памяти microSD это время увеличится в 8 раз.
Производительность на операциях чтения и записи с произвольным доступом достигает 42 000 и 40 000 IOPS соответственно. Это примерно в 400 раз выше, чем показатель microSD (около 100 IOPS).
Samsung планирует наращивать темпы производства как новой флэш-памяти eUFS объемом 512 ГБ, так и модулей емкостью 256 ГБ.
Теги: Samsung КомментироватьПодробнее на iXBT
Предыдущие новости
В Китае провели испытания самоуправляемых автобусов на дорогах общего пользования
В минувшую субботу в Шэньчжэне (провинция Гуандун, Китае) на дорогах общего пользования были испытаны четыре самоуправляемых автобуса Alphaba.
Полет шарообразного НЛО запечатлела камера МКС
Радиолюбитель из Нижнего Тагила Валентин Дегтерев, обнаруживший НЛО во время изучения свежих записей, полагает, что летящий космический объект имеет искусственное
Землю накрыла «плановая» магнитная буря
В октябре синоптики предупреждали об аномально сильной магнитной буре на Земле. Она возникла из-за серий вспышек
Новое приложение Google очистит память Android-смартфона
Компания Google разместила в магазине Google Play новое приложение Files Go, призванное быстро очистить память Android-смартфона от