Компания Semiconductor Manufacturing International Corp (SMIC), являющаяся крупнейшим китайским производителем полупроводниковой продукции, рассчитывает во втором полугодии текущего года начать массовый выпуск продукции по 28-нанометровой технологии HKC+, а в первой половине 2019 года — начать рисковое производство с использованием собственного 14-нанометрового техпроцесса FinFET.

Компания располагает мощностями, рассчитанными на пластины диаметром 200 и 300 мм. По словам руководства SMIC, линии, рассчитанные на пластины диаметром 200 мм, где выпускаются, в частности, контроллеры питания и биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT), благодаря растущему спросу на эту продукцию полностью загружены. Для удовлетворения спроса техпроцесс, используемый для выпуска высоковольтных транзисторов, планируется перенести на 300-миллиметровые фабрики.

SMIC активизирует НИОКР, стремясь создать всеобъемлющую платформу, объединяющую техпроцессы и услуги в области проектирования. За минувший квартал расходы на НИОКР и капитальные вложения составили 123 и 322 млн долларов соответственно. Во второй половине 2019 года производитель планирует заняться разработкой IP-ядер для ASIC, используемых в приложениях ИИ.

Доход SMIC в минувшем квартале составил 831 млн долларов, валовая прибыль — 26,5%, операционная прибыль — 220,2 млн долларов. В компании ожидают, что в текущем квартале доход вырастет на 7-9% при сохранении валовой прибыли на уровне 23-25%.