- Capcom похвасталась ажиотажем вокруг... (1317)
- Самая мощная и усиленная RTX 5090? Появились... (1178)
- «Первая в мире умная машинка для стрижки... (1248)
- Samsung покажет робота AI OLED Bot с круглым... (1112)
- Microsoft убила ещё один старый способ... (1263)
- IP68/69/69K, 24 ГБ ОЗУ, 7200 мАч, 120 Гц,... (1324)
- Samsung завалит рынок гаджетами с ИИ: в этом... (1527)
- Samsung начала 2026 с повышения цен:... (1530)
- 7600 мАч, IP68/69, 200 Мп с OIS, Snapdragon... (1288)
- Твердотельные батареи в реальных... (1691)
- После шести лет перерыва Audi вернула себе... (1255)
- Rockstar «достаточно уверена», что GTA VI... (1633)
- Starlink вместо раций: полиция... (1487)
- Одни из крупнейших сооружений в мире. SpaceX... (1406)
- Новейшие Bentley Bentayga могут загореться... (1637)
- Представлен Zeekr 8X с (1727)
Уральский завод изготовил турбины для атомного ледокола «Урал»
Дата: 2018-06-25 16:51
Подробнее на Yandex.ru
Предыдущие новости
Google научился показывать данные о скорости загрузки всего сайта
В инструменте Google PageSpeed Insights теперь можно посмотреть данные о скорости загрузки всех страниц
Meizu признала, что смартфон Meizu Pro 7 с двумя экранами оказался провалом
Летом прошлого года были представлены смартфоны Meizu Pro 7 и Pro 7 Plus, оснащенные дополнительным экраном на задней панели, через который, например, можно более удобно делать сэлфи на сдвоенную основную камеру. Только сейчас компания Meizu официально признала, что линейка Meizu Pro 7 оказалась провальной. Всего через месяц после начала продаж магазины начали снижать цены на...
Bloomberg сообщил о разработке Apple двух типов наушников
Американская Apple уже в 2019 г. обновит свои беспроводные наушники-вкладыши AirPods, а также представит совершенно новые накладные наушники со студийным качеством звука, сообщило агентство Bloomberg со ссылкой на свои...
Для техпроцессов с нормами менее 5 нм Imec предложила «нанотранзистор»
К симпозиуму VLSI Technology 2018 бельгийский центр Imec подготовил два связанных документа, в которых раскрыл варианты производства транзисторных структур с технологическими нормами менее 5 нм. Данная разработка призвана преодолеть фундаментальное ограничение, связанное с необходимостью уменьшать размеры транзисторных элементов. По мере снижения размеров элементов, в...