- «Захлопнись!»: Samsung научила холодильники... (2142)
- Текст и детали станут чётче: LG и Samsung... (1801)
- Тайвань усилил обвинения против Tokyo... (1739)
- У MSI появился свой Pro Max — серия ПК и... (2372)
- Серверы съедают всё: оперативная память... (1658)
- Лаконичные, чёрные и разные. Sudokoo... (1673)
- Человекоподобный робот UBTech Walker S2... (2243)
- Топ-менеджеры производителей электроники... (2019)
- Формату Blu-ray стукнуло 20 лет. Он... (1980)
- Samsung показала огромный и самый яркий в... (1963)
- Windows XP, Windows Vista, Windows 7,... (2046)
- «Ситуация беспрецедентна»: глава Samsung... (1540)
- Выглядит, как VHS-кассета и виниловый... (1485)
- Новая версия One UI 8.5 вышла для Samsung... (1460)
- «Samsung вернулась». Клиенты компании... (1515)
- Мультяшный WALL-E стал реальностью —... (1891)
Уральский завод изготовил турбины для атомного ледокола «Урал»
Дата: 2018-06-25 16:51
Подробнее на Yandex.ru
Предыдущие новости
Google научился показывать данные о скорости загрузки всего сайта
В инструменте Google PageSpeed Insights теперь можно посмотреть данные о скорости загрузки всех страниц
Meizu признала, что смартфон Meizu Pro 7 с двумя экранами оказался провалом
Летом прошлого года были представлены смартфоны Meizu Pro 7 и Pro 7 Plus, оснащенные дополнительным экраном на задней панели, через который, например, можно более удобно делать сэлфи на сдвоенную основную камеру. Только сейчас компания Meizu официально признала, что линейка Meizu Pro 7 оказалась провальной. Всего через месяц после начала продаж магазины начали снижать цены на...
Bloomberg сообщил о разработке Apple двух типов наушников
Американская Apple уже в 2019 г. обновит свои беспроводные наушники-вкладыши AirPods, а также представит совершенно новые накладные наушники со студийным качеством звука, сообщило агентство Bloomberg со ссылкой на свои...
Для техпроцессов с нормами менее 5 нм Imec предложила «нанотранзистор»
К симпозиуму VLSI Technology 2018 бельгийский центр Imec подготовил два связанных документа, в которых раскрыл варианты производства транзисторных структур с технологическими нормами менее 5 нм. Данная разработка призвана преодолеть фундаментальное ограничение, связанное с необходимостью уменьшать размеры транзисторных элементов. По мере снижения размеров элементов, в...