- QWERTY-клавиатура и магнитный внешний... (1692)
- QWERTY-клавиатура и магнитый внешний... (1642)
- Возрождение Pajero? Mitsubishi дразнит... (2187)
- Ракета Falcon 9 побывала в космосе 21 раз,... (1697)
- SpaceX испытала баржу для транспортировки... (2324)
- «Искусственное солнце» Китая и термоядерный... (2211)
- Рынок складных смартфонов готовится к... (2333)
- Hisense S6 FollowMe: портативный... (2302)
- Xiaomi теперь предлагает 5 лет обновлений... (1759)
- Agibot Q1: карманный гуманоидный робот из... (1806)
- SpaceX выпускает уже миллионы тарелок... (1832)
- Астрономы восстановили «бурную молодость»... (1636)
- Самое большое Солнце в 2026 году: Земля... (1858)
- Новый Zeekr впервые показали... (1753)
- Starlink заработал в Армении. Илон Маск... (2442)
- 2026 год начался с магнитной бури... (2603)
Уральский завод изготовил турбины для атомного ледокола «Урал»
Дата: 2018-06-25 16:51
Подробнее на Yandex.ru
Предыдущие новости
Google научился показывать данные о скорости загрузки всего сайта
В инструменте Google PageSpeed Insights теперь можно посмотреть данные о скорости загрузки всех страниц
Meizu признала, что смартфон Meizu Pro 7 с двумя экранами оказался провалом
Летом прошлого года были представлены смартфоны Meizu Pro 7 и Pro 7 Plus, оснащенные дополнительным экраном на задней панели, через который, например, можно более удобно делать сэлфи на сдвоенную основную камеру. Только сейчас компания Meizu официально признала, что линейка Meizu Pro 7 оказалась провальной. Всего через месяц после начала продаж магазины начали снижать цены на...
Bloomberg сообщил о разработке Apple двух типов наушников
Американская Apple уже в 2019 г. обновит свои беспроводные наушники-вкладыши AirPods, а также представит совершенно новые накладные наушники со студийным качеством звука, сообщило агентство Bloomberg со ссылкой на свои...
Для техпроцессов с нормами менее 5 нм Imec предложила «нанотранзистор»
К симпозиуму VLSI Technology 2018 бельгийский центр Imec подготовил два связанных документа, в которых раскрыл варианты производства транзисторных структур с технологическими нормами менее 5 нм. Данная разработка призвана преодолеть фундаментальное ограничение, связанное с необходимостью уменьшать размеры транзисторных элементов. По мере снижения размеров элементов, в...