Пока конкуренты готовятся приступить к производству 96-слойной памяти 3D NAND или только-только завершают разработку подобной памяти, компания Samsung начинает массовый выпуск самых технологически развитых многослойных чипов флеш-памяти. Компания выпустила пресс-релиз, в котором сообщила о запуске в массовое производство 256-Гбит чипов 3D NAND TLC (в терминологии Samsung — V-NAND) пятого поколения. Память пятого поколения включает как беспрецедентное пока количество слоёв — свыше 90, так и новый интерфейс Toggle DDR 4.0 микросхем памяти. Тем самым скорость обмена между памятью NAND и контроллером выросла на 40 %: с 800 Мбит/с до 1,4 Гбит/с. Важно, что в сравнении с 64-слойными предшественниками потребление интерфейса и чипа не увеличилось, поскольку одновременно снижено рабочее питание микросхем с 1,8 В до 1,2 В.

Подробнее на 3Dnews.ru