Микросхемы энергонезависимой памяти Intel 3D XPoint обладают сравнительно низкой плотностью и высокой ценой, хотя с задержками у них полный порядок — менее 10 мкс при чтении, тогда как у обычной 3D NAND задержки при обращении колеблются от 16 до 30 мкс. Ближе всех к современным характеристикам памяти 3D XPoint подобралась компания Samsung. Для конкуренции с накопителями Intel Optane южнокорейский производитель разработал многослойную память Z-NAND на основе ячейки с записью одного бита (SLC). Как выяснилось на днях, по похожему пути пошла компания Toshiba. Но японцы зашли ещё дальше — они банальным образом «размножили» массивы памяти внутри чипов, чем многократно распараллелили доступ к ячейкам. https://www.tomshardware.com

Подробнее на 3Dnews.ru