Компания Fujitsu Limited и её исследовательское подразделение Fujitsu Laboratories Ltd продолжают совершенствовать мощные транзисторы с использованием нитрида галлия (GaN). Подобные полупроводниковые структуры позволяют создавать электронные приборы с высочайшей рабочей частотой, что востребовано в радиолокационной и приёмопередающей аппаратуре. Например, грядёт сотовая связь пятого поколения с ёмкими каналами для передачи данных, для которых мощные высокочастотные транзисторы станут находкой. Другим важным применением подобных транзисторов считаются погодные радары, способные определять дождевые облака и помогать предсказывать ливни и штормы. Новая разработка Fujitsu позволяет улучшить так называемый транзистор с высокой мобильностью электронов (high electron mobility transistors, HEMT) как с позиции увеличения тока, так и с позиции увеличения управляющего напряжения. В кристаллическую структуру транзистора HEMT с использованием нитрида галлия внесены изменения в виде разделительного слоя из сплава алюминия с нитридом галлия (AlGaN). Добавочный слой или барьер разделяет слой из сплава индия, алюминия и нитрида галлия (InAlGaN) и нижележащий транзисторный канал для движения электронов.

Подробнее на 3Dnews.ru