- Gigabyte представила четвёрку материнских... (1667)
- Теперь субпиксели размещены ровно. Появилась... (1714)
- Итальянские физики расширили поиск тёмной... (2305)
- AWS получила разрешение на строительство... (1666)
- Первая в мире плазменная система охлаждения... (1854)
- Displace представила 110- и 130-дюймовые... (1694)
- Компания GE представила «умный» холодильник... (2344)
- Норвегия почти достигла цели по полному... (1703)
- Прогноз: новая платформа Apple M5 Max может... (1674)
- Хакер, приговорённый к пяти годам тюрьмы за... (1579)
- 120 л.с., климат-контроль, 2 подушки... (1735)
- Brookfield готова побороться с... (2234)
- Похоже, американские санкции не работают: в... (1578)
- Не только аккумулятор 10 080 мАч, но еще и... (1621)
- Годовой оборот коротких видео M**a Reels... (1745)
- ИИ превзошёл эволюцию в синтезе важнейших... (1698)
Смартфон ZTE Axon 9 покажут на IFA 2018 в Берлине
Дата: 2018-08-18 23:00
Подробнее на Yandex.ru
Предыдущие новости
Смартфон Doogee S70 получил игровой режим, геймпад и защиту IP69
На площадке коллективного финансирования Indiegogo скоро начнется сбор средств на выпуск первого защищенного игрового смартфона Doogee S70. Также был анонсирован геймпад Doogee G1 для Doogee S70, который показан в следующем видеоролике. Устройство защищено от попадания пыли и влаги в соответствии с описанием степеней IP68 и IP69. Согласно описанию класса защиты IP69,...
Представлена новая игровая мышь Razer Mamba Elite за 100 евро
Продажи Razer Mamba Elite начнутся в ближайшее время по цене около 100
Смартфон ZTE Axon 9 покажут на IFA 2018
Следующее изображение, которое раскопали энтузиасты в исходном коде официального сайта, указывает на то, что речь идет о ZTE Axon 9. IFA 2018 пройдет с 31 августа по 5
Для ускорения работы транзистора учёные встроили в него лазер
Учёные Университета Пердью в штате Индиана предложили улучшить структуру субмикронного полевого транзистора, встроив в него для этого полупроводниковый лазер. Ожидается, что такая гибридная структура обеспечит ошеломительный эффект в виде снижения потребления транзистора наноразмерного уровня и приведёт к повышению производительности за счёт увеличения скорости его...