- Snapdragon 8 Gen 4 окажется очень мощной.... (5444)
- Стартап бывших руководителей SpaceX и Amazon... (5544)
- У Tesla снова упали акции — теперь из-за... (5330)
- Google добавила ИИ в адресную строку Chrome... (5505)
- Специалисты бьют тревогу и предупреждают о... (5635)
- Россияне полюбили Changan, продажи выросли... (5284)
- Сеть ботов в Discord собрала и выставила на... (5369)
- Citroen C5 Aircross российской сборки с... (5378)
- SpaceX завершила миссию CRS-30 на МКС, а... (5420)
- Ubisoft подтвердила дату выхода Assassin's... (5572)
- Microsoft инвестирует $1,7 млрд в облака и... (6902)
- HarmonyOS Next, которая откажется от... (5542)
- Beats анонсировала доступные беспроводные... (5659)
- SpaceX и Blue Origin модифицируют свои... (5742)
- 165-сильный кроссовер Chevrolet Tracker... (5473)
- Китай наращивает амбициозные космические... (5581)
Galaxy S11 может базироваться на 5-нм SoC. Samsung рассекретила 3-нанометровую технологию
Дата: 2019-05-15 18:05
Компания Samsung Electronics раскрыла подробности о своих планах по разработке будущих мобильных процессорных технологий. Она объявила, что 3-нанометровый процесс 3GAE (3 нм Gate-All-Around) версии 0,1 уже готов.
Технология GAA (Gate All Around) находится в разработке ещё с 2000 года. Транзисторы GAA имеют четыре затвора, что позволяет преодолеть физические ограничения по масштабированию. Компания Samsung разрабатывает собственный вариант GAA, получивший обозначение MBCFET (multi-bridge-channel FET), отличающийся множеством наностаничных каналов в вертикальных FET-затворах. По сравнению с FinFET технология MBCFET предоставляет большую гибкость по регулировки числа страниц (каналов).
По сравнению с 7-нанометровой технологией, техпроцесс 3GAE обещает уменьшение на 45% размера чипа, на 50% снижение потребления энергии и или на 35% повышенную производительность.
Техпроцесс на базе GAA должен найти широкое применение в следующем поколении мобильных устройств, сетевых устройствах, автомобильных решениях и гаджетах «Интернета вещей».
Компания отметила, что 5-нанометровый техпроцесс FinFET был доработан в апреле. Планируется завершение разработки во второй половине года, а начало массового производства — в первой половине 2020 года.
Комментировать
Подробнее на iXBT
Предыдущие новости
Представлен смартфон Motorola One Vision: кинематографический экран и платформа Exynos за 300 евро
Смартфон Motorola One Vision о котором много говорилось в последнее время, сегодня дебютировал официально. Новинка отличается от своих собратьев многим, но начать нужно с однокристальной системы. Вместо широко распространенных SoC Qualcomm и MediaTek в этой модели используется платформа Samsung — Exynos 9609. И это, пожалуй, первый за долгое время пример применения SoC...
Xiaomi готовит к выпуску бюджетный ноутбук RedmiBook 14
Ноутбук, который готовится к выпуску под брендом бюджетного подразделения известного китайского производителя, получит название RedmiBook 14, об этом стало известно из документов, которые были поданы Xiaomi на сертификацию устройства в Bluetooth...
В работе Instagram произошел сбой
У Instagram случился сбой, следует из данных сервиса Downdetector. Всплеск сообщений о проблемах в работе соцсети зафиксирован в 17:00
Компьютеры с процессорами Intel вновь оказались под угрозой
Практически во всех процессорах Intel, которые были произведены после 2011 года, найдена уязвимость ZombieLoad. Она позволяет красть данные пользователей. В компании также подтвердили ее