- С 1 апреля порог беспошлинного ввоза товаров... (94)
- Такого монстра в Белоруссии ещё не было:... (90)
- Hellgate: London спустя 17 лет получит... (82)
- Госдума приняла закон о свободном доступе... (120)
- Сборка Chery затягивается? Бывший завод... (99)
- В этом году доля электромобилей китайского... (117)
- Новые российские владельцы заводов Toyota,... (107)
- Новые российские владельцы заводов Toyota,... (115)
- GDDR7 уже почти тут. Instrospect представила... (141)
- Машины для чиновников стоят в среднем по 5,2... (125)
- Эксперты: создать российскую Xbox непросто,... (93)
- Убытки иностранных компаний от ухода из... (109)
- Яндекс представил новое поколение нейросетей... (126)
- 132 л.с. и 6-ступенчатый «автомат» за 1,77... (114)
- Take-Two Interactive купит Gearbox у... (108)
- Спустя два года: «Яндекс Драйв» вернулся в... (102)
Galaxy S11 может базироваться на 5-нм SoC. Samsung рассекретила 3-нанометровую технологию
Дата: 2019-05-15 18:05
Компания Samsung Electronics раскрыла подробности о своих планах по разработке будущих мобильных процессорных технологий. Она объявила, что 3-нанометровый процесс 3GAE (3 нм Gate-All-Around) версии 0,1 уже готов.
Технология GAA (Gate All Around) находится в разработке ещё с 2000 года. Транзисторы GAA имеют четыре затвора, что позволяет преодолеть физические ограничения по масштабированию. Компания Samsung разрабатывает собственный вариант GAA, получивший обозначение MBCFET (multi-bridge-channel FET), отличающийся множеством наностаничных каналов в вертикальных FET-затворах. По сравнению с FinFET технология MBCFET предоставляет большую гибкость по регулировки числа страниц (каналов).
По сравнению с 7-нанометровой технологией, техпроцесс 3GAE обещает уменьшение на 45% размера чипа, на 50% снижение потребления энергии и или на 35% повышенную производительность.
Техпроцесс на базе GAA должен найти широкое применение в следующем поколении мобильных устройств, сетевых устройствах, автомобильных решениях и гаджетах «Интернета вещей».
Компания отметила, что 5-нанометровый техпроцесс FinFET был доработан в апреле. Планируется завершение разработки во второй половине года, а начало массового производства — в первой половине 2020 года.
Комментировать
Подробнее на iXBT
Предыдущие новости
Представлен смартфон Motorola One Vision: кинематографический экран и платформа Exynos за 300 евро
Смартфон Motorola One Vision о котором много говорилось в последнее время, сегодня дебютировал официально. Новинка отличается от своих собратьев многим, но начать нужно с однокристальной системы. Вместо широко распространенных SoC Qualcomm и MediaTek в этой модели используется платформа Samsung — Exynos 9609. И это, пожалуй, первый за долгое время пример применения SoC...
Xiaomi готовит к выпуску бюджетный ноутбук RedmiBook 14
Ноутбук, который готовится к выпуску под брендом бюджетного подразделения известного китайского производителя, получит название RedmiBook 14, об этом стало известно из документов, которые были поданы Xiaomi на сертификацию устройства в Bluetooth...
В работе Instagram произошел сбой
У Instagram случился сбой, следует из данных сервиса Downdetector. Всплеск сообщений о проблемах в работе соцсети зафиксирован в 17:00
Компьютеры с процессорами Intel вновь оказались под угрозой
Практически во всех процессорах Intel, которые были произведены после 2011 года, найдена уязвимость ZombieLoad. Она позволяет красть данные пользователей. В компании также подтвердили ее