Хотя последний отчет SK Hynix свидетельствует, что на выпуске микросхем памяти заработать становится труднее, чем раньше, из-за снижения цен на эту продукцию, южнокорейский производитель верит в будущее рынка памяти DRAM и 3D NAND. Он поделился планами, цель которых — рост в долгосрочной перспективе.

Коротко говоря, в компании намерены продолжать концентрироваться на технологической конкурентоспособности ключевой продукции, одновременно разрабатывая технологии следующего поколения.

Рост популярности SSD большого объема в ПК и увеличение среднего объема энергонезависимой памяти в смартфонах позволяют надеться на рост спроса на флеш-память 3D NAND. Сейчас SK Hynix в основном выпускает 72-слойную флеш-память 3D NAND, планируя в этом полугодии постепенно увеличивать долю 96-слойной флеш-памяти 3D NAND, сосредоточившись на продукции для смартфонов и твердотельных накопителей с интерфейсом PCle.

В сегменте DRAM планируется постепенное сокращение выпуска продукции по нормам 2Z нм при одновременном увеличении доли 1X нм и 1Y нм, которая уже во втором квартале превысила 40%. К концу года доля только кристаллов, изготовленных по нормам 1Y нм, должна превысить 10%. Кроме того, производитель уделяет повышенное внимание памяти LPDDR5 и HBM2E, спрос на которую, как ожидается, значительно вырастет в следующем году.