- Sony оценила PlayStation 5 Pro 30th... (2346)
- Первая портативная приставка на Ryzen AI 300... (2393)
- AMD нанесет сокрушительный удар по игровым... (2426)
- Nvidia ограничит ежемесячное игровое время в... (2561)
- Лучший игровой процессор продемонстрировал... (2604)
- Олдскульная стимпанковая ролевая игра New... (2528)
- 5 ГВт и 2 млн ускорителей: опубликованы... (2517)
- Самый популярный американский внедорожник... (2294)
- Слияние нейтронных звёзд — это как Большой... (2143)
- Успехи GTA V и скрытая польза «Бордерлендс»:... (1996)
- Популярный кроссовер Chery Tiggo 4 Pro... (1687)
- Вышли обзоры MacBook Pro на M4: впечатляющая... (1847)
- Представлена беззеркальная камера Nikon Z50... (1845)
- MSI похвалилась разгоном Ryzen 7 9800X3D до... (1766)
- Начались мировые продажи лучшего игрового... (1737)
- 5-метровый седан с пневмоподвеской на замену... (1603)
Британские ученые придумали память, в которой объединены достоинства DRAM и NAND
Дата: 2020-01-19 20:35
Исследователи из Ланкастерского университета (Великобритания) разработали новую энергонезависимую память. Как утверждается, для стирания и записи информации в этой памяти хватает в сто раз меньше энергии, чем в случае памяти NAND или DRAM. При этом высокая скорость работы новой памяти позволяет использовать ее вместо DRAM. Память получила название UK III-V.
Ключом к новой памяти стала новая структура транзистора, и построенной на нем ячейка памяти. Уточним, что пока параметры этих кирпичиков будущей памяти только смоделированы. Для хранения информации в новой памяти используется плавающий затвор, но он изолирован не оксидом кремния, как в современной памяти, а тоннельным переходом на границе между слоями разных полупроводниковых материалов: арсенида индия и антимонида алюминия. Структура также включает слои из других материалов.
В отличие от памяти DRAM содержимое ячеек UK III-V не надо периодически перезаписывать. Единственный вопрос, с которым пока нет ясности — это ресурс новой памяти. Если память UK III-V не боится большого числа перезаписей, она вполне может заменить DRAM и NAND в компьютерах и мобильных устройствах будущего, включающихся моментально и потребляющих значительно меньше энергии, чем современные образцы.
КомментироватьПодробнее на iXBT
Предыдущие новости
SMIC не удалось перехватить заказы HiSilicon у TSMC
В этом месяце одно популярное тайваньское издание опять вернулось к теме «импортозамещения» в китайской полупроводниковой отрасли. Им утверждалось, что базирующейся в Шанхае компании SMIC удалось перехватить заказы HiSilicon на выпуск мобильных процессоров по 14-нм технологии у TSMC. Но представители последней на квартальной конференции опровергли эту информацию. Источник...
Canalys: мировой ПК-рынок в ближайшие годы ожидает спад
Компания Canalys прогнозирует, что после роста продаж в 2019-м мировой рынок персональных компьютеров в ближайшие годы будет демонстрировать отрицательную динамику. По оценкам Canalys, в прошлом году в глобальном масштабе было поставлено 268,1 млн настольных ПК, ноутбуков и рабочих станций. Это на 2,7 % больше результата 2018-го, когда отгрузки равнялись 261,0 млн...
Новая ошибка Boeing 737 Max задержит возвращение самолёта в воздух
Boeing столкнулась с ещё одним недостатком программного обеспечения 737 Max, который может помешать авиалайнеру вернуться в небо. Но на этот раз это проблема не в области безопасности. Компания рассказала, что исправляет дефект, препятствующий запуску компьютеров управления полетом 737 Max и проверке готовности к полёту. Другими словами, из-за неё авиалайнер даже не может...
Мавритания будет применять дроны для борьбы с пустынной саранчой
Вскоре Мавритания будет пытаться использовать дроны для более эффективной борьбы с роями пустынной саранчи, которые наносят огромный ущерб урожаям и, соответственно, фермерским хозяйствам. В настоящее время новый подход испытывается Организацией Объединённых Наций, которая надеется свести к минимуму ущерб, причиняемый пустынной саранчой. Getty...