- Хуанг бьёт тревогу: Китай может стать... (681)
- Роскомнадзор резко расширил борьбу с VPN... (708)
- Hi-Fi Rush спустя почти три года после... (1034)
- Samsung анонсировала презентацию «Первый... (849)
- После отказа Apple Индия отказалась от... (688)
- M**a переманила из Apple создателя Liquid... (707)
- Сэм Альтман пытался заполучить амбициозного... (805)
- Таких событий на небе в текущем столетии... (675)
- В России начали блокировать... (771)
- Роскомнадзор объявил о начале блокировки... (740)
- Infinix выпустит новую линейку премиальных... (887)
- Lada Aura с заводским ГБО вышла на... (858)
- Физики научились «картографировать»... (613)
- У умной туалетной камеры Kohler Dekoda со... (869)
- В России запустили автоматизированное... (862)
- 5100 мА·ч, IP68/IP69, MIL-STD-810H, 50 Мп,... (714)
В продажу поступят графеновые аккумуляторы
Дата: 2020-01-18 13:01
Подробнее на Yandex.ru
Предыдущие новости
Рассекречены характеристики видеокарт NVIDIA нового поколения
Анонс видеокарт нового поколения ожидается в марте 2020
Новейший беспилотник США разбился во время испытаний
Новейший беспилотник США с турбореактивным двигателем X-61A Gremlin был потерян в конце испытаний после полутора часов полета. Об этом рассказали в компании-разработчике Dynetics в воскресенье, 19
Huawei собирается показывать рекламу в своих смартфонах
Что касается данных пользователей для корректного отображения рекламы, то они будут собираться и храниться в ЦОД, которые расположены в Гонконге и Сингапуре. Если же пользователь будет не против, то и его местоположение будет мониториться через GPS для показа «корректной»...
Британские ученые придумали память, в которой объединены достоинства DRAM и NAND
Исследователи из Ланкастерского университета (Великобритания) разработали новую энергонезависимую память. Как утверждается, для стирания и записи информации в этой памяти хватает в сто раз меньше энергии, чем в случае памяти NAND или DRAM. При этом высокая скорость работы новой памяти позволяет использовать ее вместо DRAM. Память получила название UK III-V. Ключом к новой...