Компания Kioxia сообщила о завершении разработки пятого поколения флеш-памяти BiCS FLASH. Эта флеш-память с объемной компоновкой насчитывает 112 слоев. Уже в текущем квартале производитель планирует начать поставки ознакомительных образцов микросхем новой памяти плотностью 512 Гбит (64 ГБ), способных хранить три бита в каждой ячейке (TLC). В перспективе планируется выпуск микросхем большей плотности — 1 Тбит в случае TLC и 1,33 Тбит в случае QLC.

По словам Kioxia, новая память предназначена для широкого круга применений, включая мобильные устройства, потребительские и корпоративные твердотельные накопители, а также новые области применения, появляющиеся с развитием сетей 5G, искусственного интеллекта и самоуправляемых транспортных средств.

Переход от 96-слойной структуры к 112-слойной выкупе со схемотехническими и технологическими улучшениями позволил повысить плотность компоновки примерно на 20%. Новая технология снижает стоимость в расчете на информационный объем и увеличивает информационный объем в расчете на пластину. Кроме того, на 50% повышается скорость работы интерфейса, улучшаются показатели чтения и записи.

Пятое поколение BiCS FLASH было разработано совместно с Western Digital. Выпускать новые микросхемы будут фабрика Kioxia в Йоккаити и новое предприятие в Китаками.