- Свежее обновление One UI 8.5 вышло для... (3400)
- Магнитное поле Земли миллиарды лет... (2522)
- Lada Niva Legend начали продавать в Йемене —... (2432)
- ИИ спроектировал рабочий Linux-компьютер из... (2447)
- За каждый километр на новом Li Auto... (2394)
- Китай запустил первый роторный двигатель... (2204)
- Первый кроссовер бренда со сверхбыстрой... (3170)
- 72 Тбайт передали на 1000 км всего за 96... (2436)
- Asus готовит ноутбук ProArt GoPro Edition. У... (2732)
- Новый турбодизель, больше крутящего момента... (2204)
- Кооперативный хит RV There Yet? достиг новой... (2240)
- 10 000 мАч в тонком корпусе, защита IP69K,... (2235)
- «Tesla сделала ставку на беспорядок — и... (2997)
- Действительно 10 000 мАч. Honor подтвердила,... (2402)
- Надпись новой компании Илона Маска Macrohard... (2569)
- Историческое событие: Lada Iskra вошла в... (2691)
Нитрид галлия обещает изменение форм-фактора зарядных устройств
Дата: 2020-02-22 21:26
Подробнее на Yandex.ru
Предыдущие новости
Распродажа: В России впервые подешевел смартфон Samsung Galaxy A51
На платформе Tmall запущена акция, позволяющая приобрести смартфон Samsung Galaxy A51 заметно дешевле, чем он стоит в большинстве других магазинов. Обычная цена официального Samsung Galaxy A51 с 64 Гбайт памяти, напомним, 19 990...
Главный конкурент Xiaomi Mi 10. Мощные флагманы iQOO 3 и iQOO 3 5G представлены официально
iQOO, игровой суббренд Vivo, представил сегодня горячо ожидаемый флагманский смартфон iQOO 3 и его вариацию iQOO 3 5G. Смартфон установил новый рекорд по производительности в AnTuTu. Как объявил производитель во время онлайн-презентации, смартфон набрал в бенчмарке 610 576 баллов. Это заметно больше результатов новых флагманов Xiaomi, прозванных компанией королями...
Imec и ASML показали получение линий с шагом 24 нм с использованием EUV-литографии с одной экспозицией
На проходящей сейчас конференции SPIE Advanced Lithography Conference институт imec и компания ASML объявили о прорыве в EUV-литографии. Речь идет о формировании линий с шагом 24 нм с применением всего одной экспозиции. Линии с таким шагом соответствуют размерам критически важных металлических слоев технологического узла 3 нм, формируемых на конечной стадии полупроводникового...
Первое в мире зарядное устройство с нитридом галлия мощностью 120 Вт
Компания Basel выпустила свое первое зарядное устройство с нитридом галлия в 2019 году, а в этом году популярность подобных адаптеров продолжает стремительно расти. Сегодня компания представила новое зарядное устройство Basel Galio, мощность которого составляет 120 Вт. Нитрид галлия (GaN) и карбид кремния (SiC), используемые в данном адаптере, в настоящее время являются...