- Уникальный ноутбук, экран которого из 16... (3178)
- Европейские многоразовые ракеты получают... (2924)
- Тайвань планирует запустить ракету... (3190)
- 7200 мАч, 200 Мп и Snapdragon 8 Elite Gen 5... (3908)
- Rocket Lab запустила новый формат спутников... (3942)
- Три четверти российских компаний не... (2288)
- Амбициозное выживание с динозаврами Ark 2... (3116)
- Fortnite не выйдет на iOS в Японии — Epic... (4123)
- Власти США официально взяли курс на... (2862)
- Земля с «пушком»: обсерватория NASA... (4226)
- США отрезают Китай от американских денег —... (2376)
- Larian Studios ответит на вопросы игроков об... (3740)
- Созданы «атомные» часы для смартфонов... (2348)
- Российская частная ракета Kamchatka впервые... (3048)
- Цукерберг готовит Mango и Avocado: M**a... (1812)
- Android-смартфон теперь может заблокировать... (2427)
Нитрид галлия обещает изменение форм-фактора зарядных устройств
Дата: 2020-02-22 21:26
Подробнее на Yandex.ru
Предыдущие новости
Распродажа: В России впервые подешевел смартфон Samsung Galaxy A51
На платформе Tmall запущена акция, позволяющая приобрести смартфон Samsung Galaxy A51 заметно дешевле, чем он стоит в большинстве других магазинов. Обычная цена официального Samsung Galaxy A51 с 64 Гбайт памяти, напомним, 19 990...
Главный конкурент Xiaomi Mi 10. Мощные флагманы iQOO 3 и iQOO 3 5G представлены официально
iQOO, игровой суббренд Vivo, представил сегодня горячо ожидаемый флагманский смартфон iQOO 3 и его вариацию iQOO 3 5G. Смартфон установил новый рекорд по производительности в AnTuTu. Как объявил производитель во время онлайн-презентации, смартфон набрал в бенчмарке 610 576 баллов. Это заметно больше результатов новых флагманов Xiaomi, прозванных компанией королями...
Imec и ASML показали получение линий с шагом 24 нм с использованием EUV-литографии с одной экспозицией
На проходящей сейчас конференции SPIE Advanced Lithography Conference институт imec и компания ASML объявили о прорыве в EUV-литографии. Речь идет о формировании линий с шагом 24 нм с применением всего одной экспозиции. Линии с таким шагом соответствуют размерам критически важных металлических слоев технологического узла 3 нм, формируемых на конечной стадии полупроводникового...
Первое в мире зарядное устройство с нитридом галлия мощностью 120 Вт
Компания Basel выпустила свое первое зарядное устройство с нитридом галлия в 2019 году, а в этом году популярность подобных адаптеров продолжает стремительно расти. Сегодня компания представила новое зарядное устройство Basel Galio, мощность которого составляет 120 Вт. Нитрид галлия (GaN) и карбид кремния (SiC), используемые в данном адаптере, в настоящее время являются...