- Отключения интернета не страшны: в России... (2565)
- Ещё одна видеокарта, которая может получать... (2823)
- ИИ ломает Microsoft изнутри: Наделла... (3635)
- Honor Magic8 Pro уже вышел в Китае и других... (3533)
- Процессоры AMD, произведённые Intel? AMD и... (3565)
- Аудитория Telegram в России достигла 105 млн... (2684)
- «Алиса AI» научилась исследовать и... (2817)
- Xiaomi представила глобальные версии... (2667)
- ИИ-агенты научились оплачивать покупки... (2997)
- Honda останавливает производство машин на... (2376)
- G.Skill объяснила, почему оперативная память... (3045)
- У NASA новый директор — миллиардер, друг... (2720)
- Apple научила ИИ строить 3D-сцены по одному... (2329)
- Россиян лишили возможности самостоятельно... (2984)
- Марсоход NASA Perseverance готов к... (2549)
- Создатель Stardew Valley заинтриговал... (3387)
Нитрид галлия обещает изменение форм-фактора зарядных устройств
Дата: 2020-02-22 21:26
Подробнее на Yandex.ru
Предыдущие новости
Распродажа: В России впервые подешевел смартфон Samsung Galaxy A51
На платформе Tmall запущена акция, позволяющая приобрести смартфон Samsung Galaxy A51 заметно дешевле, чем он стоит в большинстве других магазинов. Обычная цена официального Samsung Galaxy A51 с 64 Гбайт памяти, напомним, 19 990...
Главный конкурент Xiaomi Mi 10. Мощные флагманы iQOO 3 и iQOO 3 5G представлены официально
iQOO, игровой суббренд Vivo, представил сегодня горячо ожидаемый флагманский смартфон iQOO 3 и его вариацию iQOO 3 5G. Смартфон установил новый рекорд по производительности в AnTuTu. Как объявил производитель во время онлайн-презентации, смартфон набрал в бенчмарке 610 576 баллов. Это заметно больше результатов новых флагманов Xiaomi, прозванных компанией королями...
Imec и ASML показали получение линий с шагом 24 нм с использованием EUV-литографии с одной экспозицией
На проходящей сейчас конференции SPIE Advanced Lithography Conference институт imec и компания ASML объявили о прорыве в EUV-литографии. Речь идет о формировании линий с шагом 24 нм с применением всего одной экспозиции. Линии с таким шагом соответствуют размерам критически важных металлических слоев технологического узла 3 нм, формируемых на конечной стадии полупроводникового...
Первое в мире зарядное устройство с нитридом галлия мощностью 120 Вт
Компания Basel выпустила свое первое зарядное устройство с нитридом галлия в 2019 году, а в этом году популярность подобных адаптеров продолжает стремительно расти. Сегодня компания представила новое зарядное устройство Basel Galio, мощность которого составляет 120 Вт. Нитрид галлия (GaN) и карбид кремния (SiC), используемые в данном адаптере, в настоящее время являются...