- Новая версия HyperOS 3 для Xiaomi 15... (3708)
- Объявлены цены на новый флагманский... (4437)
- Возможность исправить ошибки прошлого:... (3829)
- AMOLED-экран Samsung 1,5K, ультразвуковой... (4117)
- Huawei рассекретила Nova 15, Nova 15 Pro и... (4347)
- Curator подводит итоги 2025 года: рост числа... (3618)
- Консоль без геймпада обошла Xbox — Nex... (3455)
- Xiaomi устанавливает криптоприложения на... (4394)
- Конкуренцию iPhone 20, который собираются... (4175)
- В ОАЭ испытали ракетные двигатели,... (3189)
- Ажиотаж прошёл: российский авторынок резко... (3361)
- Роботакси Tesla стали автономны: в Техасе из... (3823)
- Навигация при проблемах с GPS: в «Яндекс... (3731)
- «Моложе я не становлюсь!»: Кейси Хадсон... (2730)
- Складной iPhone подстегнет рынок, а Samsung... (3909)
- BAIC доживает последние месяцы в России? У... (3275)
Нитрид галлия обещает изменение форм-фактора зарядных устройств
Дата: 2020-02-22 21:26
Подробнее на Yandex.ru
Предыдущие новости
Распродажа: В России впервые подешевел смартфон Samsung Galaxy A51
На платформе Tmall запущена акция, позволяющая приобрести смартфон Samsung Galaxy A51 заметно дешевле, чем он стоит в большинстве других магазинов. Обычная цена официального Samsung Galaxy A51 с 64 Гбайт памяти, напомним, 19 990...
Главный конкурент Xiaomi Mi 10. Мощные флагманы iQOO 3 и iQOO 3 5G представлены официально
iQOO, игровой суббренд Vivo, представил сегодня горячо ожидаемый флагманский смартфон iQOO 3 и его вариацию iQOO 3 5G. Смартфон установил новый рекорд по производительности в AnTuTu. Как объявил производитель во время онлайн-презентации, смартфон набрал в бенчмарке 610 576 баллов. Это заметно больше результатов новых флагманов Xiaomi, прозванных компанией королями...
Imec и ASML показали получение линий с шагом 24 нм с использованием EUV-литографии с одной экспозицией
На проходящей сейчас конференции SPIE Advanced Lithography Conference институт imec и компания ASML объявили о прорыве в EUV-литографии. Речь идет о формировании линий с шагом 24 нм с применением всего одной экспозиции. Линии с таким шагом соответствуют размерам критически важных металлических слоев технологического узла 3 нм, формируемых на конечной стадии полупроводникового...
Первое в мире зарядное устройство с нитридом галлия мощностью 120 Вт
Компания Basel выпустила свое первое зарядное устройство с нитридом галлия в 2019 году, а в этом году популярность подобных адаптеров продолжает стремительно расти. Сегодня компания представила новое зарядное устройство Basel Galio, мощность которого составляет 120 Вт. Нитрид галлия (GaN) и карбид кремния (SiC), используемые в данном адаптере, в настоящее время являются...