- Эффект нового утильсбора? Новые кроссоверы... (5625)
- Китай захлестнул бум ИИ-гаджетов — от умных... (3717)
- Было в Windows 10, но в Windows 11 появится... (3718)
- Российские космонавты и астронавт NASA... (4616)
- Mercedes-Benz вместе с китайцами запустит... (3544)
- Google и Apple сообща упростят переход с... (5512)
- «Алиса» раскрыла рецепт приготовления... (4092)
- Что-то большое готовится к 25-летию Xbox. В... (3578)
- АвтоВАЗ может сделать аналог BMW X5, но не... (3673)
- Танцевальный челлендж и розыгрыш техники... (4086)
- Huawei создала ещё один хит, спрос превысил... (4120)
- Huawei создала ещё один хит, спрос превышает... (4062)
- Судебные документы раскрыли разработчика... (3677)
- Samsung сокращает поддержку стилуса, а... (5368)
- 120 Гц, 50 Мп, влагозащита, быстрая зарядка... (5080)
- Mini SSD — совершенно новый формат... (3716)
Нитрид галлия обещает изменение форм-фактора зарядных устройств
Дата: 2020-02-22 21:26
Подробнее на Yandex.ru
Предыдущие новости
Распродажа: В России впервые подешевел смартфон Samsung Galaxy A51
На платформе Tmall запущена акция, позволяющая приобрести смартфон Samsung Galaxy A51 заметно дешевле, чем он стоит в большинстве других магазинов. Обычная цена официального Samsung Galaxy A51 с 64 Гбайт памяти, напомним, 19 990...
Главный конкурент Xiaomi Mi 10. Мощные флагманы iQOO 3 и iQOO 3 5G представлены официально
iQOO, игровой суббренд Vivo, представил сегодня горячо ожидаемый флагманский смартфон iQOO 3 и его вариацию iQOO 3 5G. Смартфон установил новый рекорд по производительности в AnTuTu. Как объявил производитель во время онлайн-презентации, смартфон набрал в бенчмарке 610 576 баллов. Это заметно больше результатов новых флагманов Xiaomi, прозванных компанией королями...
Imec и ASML показали получение линий с шагом 24 нм с использованием EUV-литографии с одной экспозицией
На проходящей сейчас конференции SPIE Advanced Lithography Conference институт imec и компания ASML объявили о прорыве в EUV-литографии. Речь идет о формировании линий с шагом 24 нм с применением всего одной экспозиции. Линии с таким шагом соответствуют размерам критически важных металлических слоев технологического узла 3 нм, формируемых на конечной стадии полупроводникового...
Первое в мире зарядное устройство с нитридом галлия мощностью 120 Вт
Компания Basel выпустила свое первое зарядное устройство с нитридом галлия в 2019 году, а в этом году популярность подобных адаптеров продолжает стремительно расти. Сегодня компания представила новое зарядное устройство Basel Galio, мощность которого составляет 120 Вт. Нитрид галлия (GaN) и карбид кремния (SiC), используемые в данном адаптере, в настоящее время являются...