- Ореховое дерево и магнитные свитчи Gateron... (3751)
- «Тревожность» — слово 2025 года у россиян.... (4045)
- Робот, который бьёт по-настоящему: T800 сбил... (4864)
- Новейший большой седан Geely Preface... (5288)
- Россияне охладели к Zeekr, но рынок... (3282)
- Samsung перехватила инициативу и станет... (5300)
- TSMC застопорилась при масштабировании... (4632)
- Xiaomi готовит новый смартфон: инсайдер... (3740)
- DDN анонсировала «прорывные» хранилища... (2709)
- Смартфоны Samsung Galaxy S26 впервые получат... (5394)
- Россияне сметают с полок видеокарты: продажи... (5686)
- Взрыв на Солнце: крупнейший за многие годы... (7462)
- Редкий представительский лимузин ГАЗ-12 ЗИМ... (5652)
- Сбер рекомендует установить как можно... (3582)
- Минивэн Aurus Arsenal скоро появится в... (3676)
- «Смешанные» отзывы в Steam не помеха: аддон... (5123)
Нитрид галлия обещает изменение форм-фактора зарядных устройств
Дата: 2020-02-22 21:26
Подробнее на Yandex.ru
Предыдущие новости
Распродажа: В России впервые подешевел смартфон Samsung Galaxy A51
На платформе Tmall запущена акция, позволяющая приобрести смартфон Samsung Galaxy A51 заметно дешевле, чем он стоит в большинстве других магазинов. Обычная цена официального Samsung Galaxy A51 с 64 Гбайт памяти, напомним, 19 990...
Главный конкурент Xiaomi Mi 10. Мощные флагманы iQOO 3 и iQOO 3 5G представлены официально
iQOO, игровой суббренд Vivo, представил сегодня горячо ожидаемый флагманский смартфон iQOO 3 и его вариацию iQOO 3 5G. Смартфон установил новый рекорд по производительности в AnTuTu. Как объявил производитель во время онлайн-презентации, смартфон набрал в бенчмарке 610 576 баллов. Это заметно больше результатов новых флагманов Xiaomi, прозванных компанией королями...
Imec и ASML показали получение линий с шагом 24 нм с использованием EUV-литографии с одной экспозицией
На проходящей сейчас конференции SPIE Advanced Lithography Conference институт imec и компания ASML объявили о прорыве в EUV-литографии. Речь идет о формировании линий с шагом 24 нм с применением всего одной экспозиции. Линии с таким шагом соответствуют размерам критически важных металлических слоев технологического узла 3 нм, формируемых на конечной стадии полупроводникового...
Первое в мире зарядное устройство с нитридом галлия мощностью 120 Вт
Компания Basel выпустила свое первое зарядное устройство с нитридом галлия в 2019 году, а в этом году популярность подобных адаптеров продолжает стремительно расти. Сегодня компания представила новое зарядное устройство Basel Galio, мощность которого составляет 120 Вт. Нитрид галлия (GaN) и карбид кремния (SiC), используемые в данном адаптере, в настоящее время являются...