- Редчайший UAZ Marathon европейской сборки... (2844)
- «Триколор» строит первый в России телепорт... (3118)
- Большая батарея и 120 Гц за минимальные... (2649)
- Какой планшет не страшно давать детям?... (3608)
- Пользователь Neuralink расширил... (3282)
- Honda Civic 2025 с гарантией 3 года или 100... (3466)
- Огромный трансформируемый корпус, куда... (2898)
- Четыре RJ45, память с ECC и возможность... (3409)
- В России бездомных собак использовали для... (2758)
- Microsoft попыталась улучшить тёмную тему в... (2417)
- В России бездомных собак использовали для... (2978)
- Intel теряет геймеров, Windows 11 растёт, а... (3520)
- Щиты ИИ рухнули от слов поэта — запросы в... (2732)
- Одним из главных преимуществ ИИ Google стало... (2647)
- Российский кроссовер с запасом хода 1250 км... (3396)
- Анонсированы первые в мире AR-очки Xreal 1S... (3184)
Нитрид галлия обещает изменение форм-фактора зарядных устройств
Дата: 2020-02-22 21:26
Подробнее на Yandex.ru
Предыдущие новости
Распродажа: В России впервые подешевел смартфон Samsung Galaxy A51
На платформе Tmall запущена акция, позволяющая приобрести смартфон Samsung Galaxy A51 заметно дешевле, чем он стоит в большинстве других магазинов. Обычная цена официального Samsung Galaxy A51 с 64 Гбайт памяти, напомним, 19 990...
Главный конкурент Xiaomi Mi 10. Мощные флагманы iQOO 3 и iQOO 3 5G представлены официально
iQOO, игровой суббренд Vivo, представил сегодня горячо ожидаемый флагманский смартфон iQOO 3 и его вариацию iQOO 3 5G. Смартфон установил новый рекорд по производительности в AnTuTu. Как объявил производитель во время онлайн-презентации, смартфон набрал в бенчмарке 610 576 баллов. Это заметно больше результатов новых флагманов Xiaomi, прозванных компанией королями...
Imec и ASML показали получение линий с шагом 24 нм с использованием EUV-литографии с одной экспозицией
На проходящей сейчас конференции SPIE Advanced Lithography Conference институт imec и компания ASML объявили о прорыве в EUV-литографии. Речь идет о формировании линий с шагом 24 нм с применением всего одной экспозиции. Линии с таким шагом соответствуют размерам критически важных металлических слоев технологического узла 3 нм, формируемых на конечной стадии полупроводникового...
Первое в мире зарядное устройство с нитридом галлия мощностью 120 Вт
Компания Basel выпустила свое первое зарядное устройство с нитридом галлия в 2019 году, а в этом году популярность подобных адаптеров продолжает стремительно расти. Сегодня компания представила новое зарядное устройство Basel Galio, мощность которого составляет 120 Вт. Нитрид галлия (GaN) и карбид кремния (SiC), используемые в данном адаптере, в настоящее время являются...