- Toyota представила полноприводный... (3594)
- Накануне введения нового утильсбора: заказы... (4172)
- Землю накрыла магнитная... (3652)
- Стало известно, что происходит с проектом... (2975)
- Western Digital начала расследование... (4244)
- Обновление сайта Rockstar дало фанатам... (3685)
- Уже 60 моделей смартфонов Samsung получили... (5286)
- В России стартовали продажи ультрабука Honor... (4221)
- В Китае 745 долларов, а в Европе уже 1110... (4094)
- Xiaomi с аккумулятором 20 000 мАч и... (3694)
- И на этом предлагают создавать новые ПК.... (3659)
- Астероид, открытый сегодня, пролетит на... (4695)
- Термокружка, штопор-нож и две системы... (3939)
- В iPhone 17 Pro Max установили систему... (3512)
- До релиза Hollow Knight: Silksong была ещё... (3827)
- NASA сохраняет критически важные операции во... (4772)
Нитрид галлия обещает изменение форм-фактора зарядных устройств
Дата: 2020-02-22 21:26
Подробнее на Yandex.ru
Предыдущие новости
Распродажа: В России впервые подешевел смартфон Samsung Galaxy A51
На платформе Tmall запущена акция, позволяющая приобрести смартфон Samsung Galaxy A51 заметно дешевле, чем он стоит в большинстве других магазинов. Обычная цена официального Samsung Galaxy A51 с 64 Гбайт памяти, напомним, 19 990...
Главный конкурент Xiaomi Mi 10. Мощные флагманы iQOO 3 и iQOO 3 5G представлены официально
iQOO, игровой суббренд Vivo, представил сегодня горячо ожидаемый флагманский смартфон iQOO 3 и его вариацию iQOO 3 5G. Смартфон установил новый рекорд по производительности в AnTuTu. Как объявил производитель во время онлайн-презентации, смартфон набрал в бенчмарке 610 576 баллов. Это заметно больше результатов новых флагманов Xiaomi, прозванных компанией королями...
Imec и ASML показали получение линий с шагом 24 нм с использованием EUV-литографии с одной экспозицией
На проходящей сейчас конференции SPIE Advanced Lithography Conference институт imec и компания ASML объявили о прорыве в EUV-литографии. Речь идет о формировании линий с шагом 24 нм с применением всего одной экспозиции. Линии с таким шагом соответствуют размерам критически важных металлических слоев технологического узла 3 нм, формируемых на конечной стадии полупроводникового...
Первое в мире зарядное устройство с нитридом галлия мощностью 120 Вт
Компания Basel выпустила свое первое зарядное устройство с нитридом галлия в 2019 году, а в этом году популярность подобных адаптеров продолжает стремительно расти. Сегодня компания представила новое зарядное устройство Basel Galio, мощность которого составляет 120 Вт. Нитрид галлия (GaN) и карбид кремния (SiC), используемые в данном адаптере, в настоящее время являются...