- Google Chrome начнёт по умолчанию... (3421)
- Дивный мёртвый мир: Amazon перестанет... (3216)
- Google намерена возродить атомную... (4636)
- В России готовят к запуску бывшие заводы... (4359)
- Производство Lada Iskra уже урезают — на... (3557)
- Рыночная стоимость Apple впервые превысила... (3301)
- Новые MacBook Air, iPad mini и iPad Air... (3073)
- Хоррор на выживание Darkwood получит... (3258)
- Mercedes-Benz выплачивает сотни миллионов... (3757)
- Nvidia инвестирует $1 млрд в Nokia для... (3003)
- Целая эпоха закончилась: Китай сворачивает... (3359)
- Видео: прототип тихого сверхзвукового... (5656)
- iQOO 15 в чёрном: подтверждены ключевые... (3677)
- Потеря китайского рынка Nvidia сильнее... (5338)
- Dimensity 9500, камера Hasselblad, IP69,... (3342)
- Nvidia бросит вызов Tesla — и вместе... (4545)
Нитрид галлия обещает изменение форм-фактора зарядных устройств
Дата: 2020-02-22 21:26
Подробнее на Yandex.ru
Предыдущие новости
Распродажа: В России впервые подешевел смартфон Samsung Galaxy A51
На платформе Tmall запущена акция, позволяющая приобрести смартфон Samsung Galaxy A51 заметно дешевле, чем он стоит в большинстве других магазинов. Обычная цена официального Samsung Galaxy A51 с 64 Гбайт памяти, напомним, 19 990...
Главный конкурент Xiaomi Mi 10. Мощные флагманы iQOO 3 и iQOO 3 5G представлены официально
iQOO, игровой суббренд Vivo, представил сегодня горячо ожидаемый флагманский смартфон iQOO 3 и его вариацию iQOO 3 5G. Смартфон установил новый рекорд по производительности в AnTuTu. Как объявил производитель во время онлайн-презентации, смартфон набрал в бенчмарке 610 576 баллов. Это заметно больше результатов новых флагманов Xiaomi, прозванных компанией королями...
Imec и ASML показали получение линий с шагом 24 нм с использованием EUV-литографии с одной экспозицией
На проходящей сейчас конференции SPIE Advanced Lithography Conference институт imec и компания ASML объявили о прорыве в EUV-литографии. Речь идет о формировании линий с шагом 24 нм с применением всего одной экспозиции. Линии с таким шагом соответствуют размерам критически важных металлических слоев технологического узла 3 нм, формируемых на конечной стадии полупроводникового...
Первое в мире зарядное устройство с нитридом галлия мощностью 120 Вт
Компания Basel выпустила свое первое зарядное устройство с нитридом галлия в 2019 году, а в этом году популярность подобных адаптеров продолжает стремительно расти. Сегодня компания представила новое зарядное устройство Basel Galio, мощность которого составляет 120 Вт. Нитрид галлия (GaN) и карбид кремния (SiC), используемые в данном адаптере, в настоящее время являются...