- Хуанг показал Vera Rubin Superchip — CPU,... (3567)
- Массовые увольнения в Amazon больно ударили... (4248)
- NVIDIA и Oracle построят для США... (3636)
- Учёные впервые зарегистрировали слияния... (5773)
- NVIDIA анонсировала DPU BlueField-4:... (5389)
- Фейковая мошенническая трансляция Nvidia GTC... (4034)
- «Покойся с миром, Warzone»: в Battlefield 6... (5430)
- Цены на серверную DRAM подскочили на 50 %... (5803)
- В Adobe Express появился ИИ-помощник,... (3637)
- Разрешение 8K в телевизорах бессмысленно?... (3743)
- Kensington представила эргономичный трекбол... (3826)
- Почти 16 часов работы экрана и лёгкая победа... (3587)
- Mozilla добавила ИИ прямо в адресную строку... (4068)
- Отправка первого частного тяжёлого... (4035)
- Покупки прямо в ChatGPT можно будет... (3840)
- Apple ворвалась в тройку компаний с... (5099)
Нитрид галлия обещает изменение форм-фактора зарядных устройств
Дата: 2020-02-22 21:26
Подробнее на Yandex.ru
Предыдущие новости
Распродажа: В России впервые подешевел смартфон Samsung Galaxy A51
На платформе Tmall запущена акция, позволяющая приобрести смартфон Samsung Galaxy A51 заметно дешевле, чем он стоит в большинстве других магазинов. Обычная цена официального Samsung Galaxy A51 с 64 Гбайт памяти, напомним, 19 990...
Главный конкурент Xiaomi Mi 10. Мощные флагманы iQOO 3 и iQOO 3 5G представлены официально
iQOO, игровой суббренд Vivo, представил сегодня горячо ожидаемый флагманский смартфон iQOO 3 и его вариацию iQOO 3 5G. Смартфон установил новый рекорд по производительности в AnTuTu. Как объявил производитель во время онлайн-презентации, смартфон набрал в бенчмарке 610 576 баллов. Это заметно больше результатов новых флагманов Xiaomi, прозванных компанией королями...
Imec и ASML показали получение линий с шагом 24 нм с использованием EUV-литографии с одной экспозицией
На проходящей сейчас конференции SPIE Advanced Lithography Conference институт imec и компания ASML объявили о прорыве в EUV-литографии. Речь идет о формировании линий с шагом 24 нм с применением всего одной экспозиции. Линии с таким шагом соответствуют размерам критически важных металлических слоев технологического узла 3 нм, формируемых на конечной стадии полупроводникового...
Первое в мире зарядное устройство с нитридом галлия мощностью 120 Вт
Компания Basel выпустила свое первое зарядное устройство с нитридом галлия в 2019 году, а в этом году популярность подобных адаптеров продолжает стремительно расти. Сегодня компания представила новое зарядное устройство Basel Galio, мощность которого составляет 120 Вт. Нитрид галлия (GaN) и карбид кремния (SiC), используемые в данном адаптере, в настоящее время являются...