Компания Globalfoundries (GF) объявила о выпуске встроенной магниторезистивной энергонезависимой памяти (eMRAM) на фирменной 22-нанометровой технологической платформе FD-SOI (22FDX). Контрактный производитель полупроводниковой продукции уже работает с несколькими клиентами, которые выбрали эту eMRAM для интеграции в свои изделия. Они должны быть переданы в производство в текущем году.

По словам GF, это значительная веха для отрасли. Она показывает масштабируемость eMRAM как экономически эффективного варианта на современных узлах техпроцессов для выпуска универсальных микроконтроллеров и микросхем для интернета вещей (IoT), автомобильной электроники, периферийных устройств искусственного интеллекта и других областей применения, где востребовано низкое энергопотребление.

Память eMRAM разработана в качестве замены встроенной флеш-памяти NOR (eFlash). Она гарантированно выдерживает многократную пайку волной припоя. Ее ресурс составляет 100 000 циклов перезаписи. Данные в памяти сохраняются в течение 10 лет при температуре от -40 °C до 125 °С. Компания GF и ее партнеры подготовили проверенные в кремнии макросы MRAM объемом от 4 до 48 Мбит. Микросхемы с eMRAM, изготовленные по технологии FD-SOI, соответствуют требованиям второго класса качества AEC-Q100. В следующем году планируется разработка памяти, соответствующей требованиям первого класса AEC-Q100.  

Напомним, что впервые о возможности интегрировать встраиваемую память eMRAM в микросхемы, выпускаемые по технологии 22FDX, компания GF сообщила еще в 2016 году.