Китай продолжает двигаться по пути снижения зависимости от импортного сырья и комплектующих в области производства полупроводников. Новым шагом на этом пути стала разработка отечественного фоторезиста ― материала, без которого невозможно перенести рисунок электронной схемы на кремниевый кристалл. Новый материал настолько хорош, что может быть использован для техпроцесса с нормами 7 нм. О завершении НИОКР по созданию высокочувствительного фоторезиста сообщила компания Nata Opto из Цзянсу. Созданный в лабораториях компании новый фоточувствительный материал поможет в переходе на отечественные материалы в случае производства с технологическими нормами от 28 до 7 нм. До этого в Китае выпускался фоторезист, который годился только для выпуска чипов с нормами 436 и 365 нм.

Подробнее на 3Dnews.ru