Компания Samsung Electronics  объявила, что на ее второй производственной линии в Пхёнтхэке, Корея, началось массовое производство первых в отрасли 16-гигабитных чипов мобильной памяти DRAM LPDDR5. Это первая в отрасли оперативная память LPDDR5 DRAM, изготовленная по технологии третьего поколения 10-нанометрового класса (1z). В ее производстве используется EUV-литография.

Поддерживая скорость 6400 Мбит/с, новая память LPDDR5 примерно на 16% быстрее, чем 12-гигабитные микросхемы LPDDR5-5500, которые используются в большинстве современных флагманских мобильных устройств.

Микросхема объемом 16 ГБ, состоящая из восьми чипов в одном корпусе, характеризуется пропускной способностью 51,2 ГБ/с. Производитель отмечает, что использование первого коммерческого техпроцесса 1z позволило сделать микросхему на 30% тоньше по сравнению с предшественницей. Кристаллов, изготовленных по нормам 1y, для получения такого же объема 16 ГБ необходимо 12 штук — восемь по 12 Гбит и четыре по 8 Гбит.

Компания Samsung уже поставляет микросхемы LPDDR5 объемом 16 ГБ, изготовленные по нормам 1z, ведущим производителям смартфонов для использования во флагманских моделях. В перспективе южнокорейский электронный гигант планирует расширить предложение LPDDR5, охватив автомобильный рынок за счет выпуска микросхем, рассчитанных на расширенный температурный диапазон и более строгие требования надежности.