- Технология SmartPower HDR от Samsung и Intel... (779)
- Corsair встроила Stream Deck прямо в... (489)
- Be quiet! представила кулеры Dark Rock 6 и... (499)
- Комплект DDR5 за $1500 и кофе в подарок:... (430)
- Они ещё и издеваются: Newegg предлагает... (522)
- Глава Nvidia сравнил роботов с... (499)
- Nvidia задумалась о возвращении старых... (465)
- Nvidia могла бы вернуть на рынок старые GPU... (428)
- AMD всерьёз задумалась о возрождении старых... (412)
- AMD серьёзно задумалась о возвращении... (584)
- Тонкий корпус, 7 лет обновлений, защита... (663)
- Вперед в прошлое: AMD вернет в продажу... (532)
- Новое воплощение культового Razr:... (526)
- 3,5 с до 100 км/ч, зарядка на 80% за 10... (582)
- Lenovo придумала ThinkPad с «растущим»... (536)
- Игровой ноутбук с раздвигающимся до 24... (609)
Новые системы Applied Materials для полупроводникового производства помогут перейти к использованию 200-миллиметровых пластин SiC
Дата: 2021-09-12 12:08
Компания Applied Materials, специализирующаяся на выпуске оборудования для полупроводникового производства, на этой неделе представила два новых изделия. Это системы, предназначенные для работы с пластинами карбида кремния (SiC), используемого для изготовления силовых полупроводниковых приборов. По словам Applied Materials, новые системы помогут производителям перейти от использования 150-миллиметровых пластин к использованию 200-миллиметровых пластин. Указанный переход примерно вдвое увеличивает выход продукции в расчете на одну пластину, позволяя удовлетворять растущий спрос на силовые компоненты для электромобилей.
В системе химико-механической планаризации (CMP) Mirra Durum объединены операции полировки, контролируемого удаления материала, очистки и сушки пластины. Как утверждается, новая система продемонстрировала 50-кратное снижение шероховатости поверхности готовой пластины по сравнению с механически шлифованными пластинами SiC и трехкратное снижение шероховатости по сравнению с системами пакетной CMP.
Система «горячей» ионной имплантации VIISta 900 3D, рассчитанная на пластины SiC диаметром 150 и 200 мм, позволяет легировать полупроводниковый кристалл с минимальным повреждением кристаллической решетки, что приводит к снижению удельного сопротивления более чем в 40 раз по сравнению с имплантацией при комнатной температуре.
Подробнее на iXBT
Предыдущие новости
Apple уволила топ-менеджера, над которой издевались другие сорудники
Apple уволила старшего менеджера Эшли Гьёвик (Ashley Gjovik) за якобы нарушение правил компании, запрещающих утечку конфиденциальной информации. В течение нескольких месяцев Гьёвик открыто писала в Twitter о домогательствах, слежке и проблемах с безопасностью на рабочем месте. Когда в марте я начала поднимать вопрос о безопасности на рабочем месте и почти сразу же столкнулась...
Дискретные видеокарты Intel не смогут составить конкуренцию решениям AMD и Nvidia
Согласно сведениям инсайдеров, Intel не удалось создать полноценного конкурента лучшим видеокартам Nvidia и AMD. По новой информации, флагманская видеокарта Intel Arc будет иметь производительность на уровне GeForce RTX 3070 от NVIDIA и Radeon RX 6700 XT от...
Китайские пользователи возмутились из-за флага Тибета в игре Life is Strange: True Colors
Пользователи из Китая начали массово занижать рейтинг Life is Strange: True Colors по причине увиденного в игре флага Тибета 10 сентября на странице в сервисе
Первым покупателям iPhone 13 предложили зарядное устройство в подарок
Напомним, что по последним данным, в основу линейки iPhone 13 ляжет чип Apple A15. Главные же изменения стоит ждать в Pro-версиях аппарата. iPhone 13 Pro, вроде как, оснастят LTPO-дисплеем с частотой обновления до 90 Гц, а iPhone 13 Pro Max — до 120...