Компания TSMC представила техпроцесс N4X, оптимизированный по критерию производительности изготавливаемых микросхем. Это первый техпроцесс такого рода среди техпроцессов TSMC 5-нанометрового поколения. Изготовленные с его применением микросхемы рассчитаны на наибольшие тактовые частоты среди микросхем, изготавливаемых по техпроцессам этого поколения. Техпроцессы TSMC, оптимизированные по критерию производительности, можно узнать по букве «X» в обозначении.

Оптимизация затрагивает не только транзисторы, которые рассчитаны на повышенные токи и частоты, но и внутренний металлический стек. Кроме того, новый техпроцесс позволяет формировать конденсаторы сверхвысокой емкости со структурой «металл-изолятор-металл».

Как утверждается, все это позволяет получить выигрыш по производительности до 15% по сравнению с N5 или до 4% по сравнению с N4P при напряжении питания 1,2 В. Дополнительный потенциал увеличения производительности обеспечен возможностью использования управляющих напряжений более 1,2 В. Заказчики могут ускорить разработку микросхем для N4X, воспользовавшись тем, что для этого техпроцесса подходят общие правила проектирования для техпроцесса N5. В TSMC ожидают, что рисковое производство с применением N4X начнется в первой половине 2023 года.