На последнем брифинге для инвесторов Samsung заявила, что производство по нормам 3-нм техпроцесса начнется в ближайшие несколько недель. Получается, что Samsung опередит TSMC.

По данным TSMC, 3-нм техпроцесс с архитектурой FinFET будет запущен в массовое производство во второй половине года. Отраслевые аналитики считают, что, хотя Samsung утверждает, что 3-нм техпроцесс приближается к массовому производству, с точки зрения плотности транзисторов и производительности 3-нм техпроцесс Samsung сопоставим с 5-нм техпроцессом TSMC и 4-нм техпроцессом Intel.

Теоретически 3-нанометровый техпроцесс Samsung является новейшим, но практически он все еще отстает от TSMC. Samsung сообщила инвесторам, что полностью готовится к запуску 3-нанометрового техпроцесса на основе GAA в первой половине этого года. В течение ближайших восьми недель начнётся процесс массового производства.

Samsung утверждает, что по сравнению с текущим 7-нм процессом архитектуры FinFET новые 3-нм чипы могут работать в среде с низким напряжением ниже 0,75 В. Это позволит снизить общее энергопотребление на 50%. Это также улучшит производительность на 30% и уменьшит размер чипа на 45%.

Пока что неизвестно, насколько высоким будет процент выхода качественной продукции 3-нм техпроцесса Samsung. 4-нм техпроцесс Samsung имеет очень низкий показатель, что заставило основных клиентов переключаться на TSMC. Согласно отраслевым отчетам, выход качественной продукции Samsung на 3-нм техпроцессе составляет всего около 10%, но Samsung не подтвердила это.

TSMC также приступила к более продвинутому 2-нм техпроцессу. Ожидается, что пробное производство начнется в 2024 году, а массовое производство намечено на 2025 год.

Читайте также: США и Япония хотят наладить производство 2-нм продукции без Тайваня и предотвратить утечки технологий в Китай.