- Российский мессенджер «Молния» готов к... (519)
- DJI поторопила власти США с аудитом — иначе... (315)
- Редчайшая «пятёрка» мощностью 220 л.с.:... (374)
- В отечественном мессенджере Max можно задать... (396)
- Представлен новый Toyota... (318)
- УАЗ ставит точку в вопросе... (479)
- Инсайдер раскрыл подробности отменённого... (250)
- Хуанг бьёт тревогу: Китай может стать... (405)
- Роскомнадзор резко расширил борьбу с VPN... (427)
- Hi-Fi Rush спустя почти три года после... (550)
- Samsung анонсировала презентацию «Первый... (475)
- После отказа Apple Индия отказалась от... (360)
- M**a переманила из Apple создателя Liquid... (305)
- Сэм Альтман пытался заполучить амбициозного... (519)
- Таких событий на небе в текущем столетии... (278)
- В России начали блокировать... (432)
Samsung может начать массовое производство 2-нм чипов с технологией GAA в 2025 году
Дата: 2024-05-01 08:20
Компания Samsung может начать массовое производство новых чипов с использованием 2-нанометрового технологического процесса в 2025 году, о чем пишет gizmochina.
В этом 2-нм техпроцессе будет использоваться технология затворных транзисторов (GAA) следующего поколения, причем в 2025 году стартует не тестовое, а уже массовое производство. Сначала Samsung продемонстрирует эту технологию на предстоящих отраслевых конференциях.
Изображение DALL-E GAA представляет собой новую конструкцию транзистора, которая повышает эффективность и производительность за счет лучшего прохождения тока. Компания Samsung впервые представила технологию GAA в своем 3-нм техпроцессе, но пока технология используется только в чипах Exynos собственного производства. По сравнению с 5-нм чипами, 3-нм чип GAA первого поколения обеспечивает значительные улучшения производительности и энергоэффективности, при этом площадь чипа сокращается.
Для начала Samsung планирует начать массовое производство чипов с использованием 3-нм технологии GAA второго поколения позднее в 2024 году. Хотя их основной конкурент, TSMC , еще не внедрил технологию GAA, ожидается , что обе компании, а также Intel будут использовать ее в своих будущих 2-нм процессах.
Подробнее на iXBT
Предыдущие новости
Самые мощные субфлагманы на Android: модели на Snapdragon 7+ Gen3 захватывают лидерство, Redmi K70E теряет позиции
Вместе с рейтингом самых мощных флагманов, появился и рейтинг самых мощных субфлагманов по версии AnTuTu. И тут есть четкое разделение на двух лидеров и всех остальных. Самые мощные модели — OnePlus Ace 3V и Realme GT Neo6 SE, разница в производительности — менее 20 тыс. баллов. Лучший из остальных, Redmi K70E, уже на третьем месте, хотя в мартовском рейтинге он занимал...
Акции Intel в апреле упали в цене на 31 %, максимально с июня 2002 года
Квартальный отчёт Intel был опубликован в прошлом месяце, реакция рынка на это событие успела себя реализовать, но если рассматривать апрель в целом, то он стал для акций компании худшим месяцем за последние 22 года. Стоимость акций Intel снизилась на 31 %, максимально с июня 2002 года. Источник изображения:...
Недорогой Hyundai Custin, собранный в Казахстане: названы цены и комплектации
В Казахстане начали собирать дешевый минивэн Hyundai Custo, о чем мы уже сообщали. Теперь же появились подробности о ценах и комплектациях. Покупателям предлагают две комплектации, которые оснащены 170-сильным 1,5-литровым двигателем, 8-ступенчатым автоматом и передним приводом. Начальная версия Travel стоит 3,27 млн. рублей на наши деньги, а за флагманскую модель Luxe просят...
Семикратный чемпион «Формулы 1» перед уходом в Ferrari представляет новый Mercedes-AMG GT
Семикратный чемпион «Формулы 1» Льюис Хэмилтон представляет новый Mercedes-AMG GT в ролике, который был опубликован подразделением Mercedes-AMG в YouTube. В следующем году Льюис Хэмилтон прекратит многолетнее сотрудничество с Mercedes-AMG и станет пилотом Ferrari, а пока что немцы активно используют образ знаменитости в своих рекламных материалах. Автомобиль в версии...