- Представлена Toyota Camry 2027: 197 л.с. с... (5611)
- Космический «эвакуатор» сломался: NASA... (7611)
- Samsung Galaxy A58 засветился в... (6016)
- Стартовали российские продажи смартфона... (8444)
- Представлен Nissan Murano 2027: новая... (5682)
- Новая статья: Обзор беззеркальной камеры... (8783)
- Электромобили Geely приблизятся к дизельным... (9657)
- Snapdragon 8 Elite Gen 6 Pro еще не... (5978)
- Ядерная «грелка» против -170 °C: Firefly... (7764)
- Недорогой, складной и мощный:... (5332)
- 10 260 мАч, тонкий корпус и магнитная... (5879)
- Ветеран разработки Dishonored и Deus Ex... (8715)
- Один чехол для iPhone разных поколений:... (8606)
- Google закручивает гайки: установка... (8297)
- Почти 90 млн км/ч: прямо в центре Млечного... (8425)
- Почти 90 млн км/ч: астрономы нашли самую... (8994)
Samsung может начать массовое производство 2-нм чипов с технологией GAA в 2025 году
Дата: 2024-05-01 08:20
Компания Samsung может начать массовое производство новых чипов с использованием 2-нанометрового технологического процесса в 2025 году, о чем пишет gizmochina.
В этом 2-нм техпроцессе будет использоваться технология затворных транзисторов (GAA) следующего поколения, причем в 2025 году стартует не тестовое, а уже массовое производство. Сначала Samsung продемонстрирует эту технологию на предстоящих отраслевых конференциях.
Изображение DALL-E GAA представляет собой новую конструкцию транзистора, которая повышает эффективность и производительность за счет лучшего прохождения тока. Компания Samsung впервые представила технологию GAA в своем 3-нм техпроцессе, но пока технология используется только в чипах Exynos собственного производства. По сравнению с 5-нм чипами, 3-нм чип GAA первого поколения обеспечивает значительные улучшения производительности и энергоэффективности, при этом площадь чипа сокращается.
Для начала Samsung планирует начать массовое производство чипов с использованием 3-нм технологии GAA второго поколения позднее в 2024 году. Хотя их основной конкурент, TSMC , еще не внедрил технологию GAA, ожидается , что обе компании, а также Intel будут использовать ее в своих будущих 2-нм процессах.
Подробнее на iXBT
Предыдущие новости
Самые мощные субфлагманы на Android: модели на Snapdragon 7+ Gen3 захватывают лидерство, Redmi K70E теряет позиции
Вместе с рейтингом самых мощных флагманов, появился и рейтинг самых мощных субфлагманов по версии AnTuTu. И тут есть четкое разделение на двух лидеров и всех остальных. Самые мощные модели — OnePlus Ace 3V и Realme GT Neo6 SE, разница в производительности — менее 20 тыс. баллов. Лучший из остальных, Redmi K70E, уже на третьем месте, хотя в мартовском рейтинге он занимал...
Акции Intel в апреле упали в цене на 31 %, максимально с июня 2002 года
Квартальный отчёт Intel был опубликован в прошлом месяце, реакция рынка на это событие успела себя реализовать, но если рассматривать апрель в целом, то он стал для акций компании худшим месяцем за последние 22 года. Стоимость акций Intel снизилась на 31 %, максимально с июня 2002 года. Источник изображения:...
Недорогой Hyundai Custin, собранный в Казахстане: названы цены и комплектации
В Казахстане начали собирать дешевый минивэн Hyundai Custo, о чем мы уже сообщали. Теперь же появились подробности о ценах и комплектациях. Покупателям предлагают две комплектации, которые оснащены 170-сильным 1,5-литровым двигателем, 8-ступенчатым автоматом и передним приводом. Начальная версия Travel стоит 3,27 млн. рублей на наши деньги, а за флагманскую модель Luxe просят...
Семикратный чемпион «Формулы 1» перед уходом в Ferrari представляет новый Mercedes-AMG GT
Семикратный чемпион «Формулы 1» Льюис Хэмилтон представляет новый Mercedes-AMG GT в ролике, который был опубликован подразделением Mercedes-AMG в YouTube. В следующем году Льюис Хэмилтон прекратит многолетнее сотрудничество с Mercedes-AMG и станет пилотом Ferrari, а пока что немцы активно используют образ знаменитости в своих рекламных материалах. Автомобиль в версии...