- На Apple подали в суд за высокие цены на... (1781)
- Alibaba выпустила больше 100 открытых... (1712)
- В Европе создали твердотельный литиевый... (1746)
- Android 15 выйдет 15 октября, но только на... (1803)
- Новейшая One UI 6.1.1 стала доступна для... (1639)
- Одна из самых популярных игр на Steam Deck... (1760)
- Apple запустила производство iPhone 16 в... (1682)
- Apple отозвала обновление, которое выводит... (1733)
- Неправильную форму Марса объяснили давно... (1689)
- Больше возможностей для «переезда» из Miro –... (1718)
- Geely в России превращается в Knewstar.... (1705)
- НАТО против ЧВК, новая система разрушений и... (1671)
- Веб-версия «VK Мессенджера» получила новый... (1648)
- Tesla рассказала об опасности удлинителей на... (1871)
- iPhone 16 уже приехали в Россию — МТС... (1570)
- Европол ликвидировал защищённый криминальный... (4299)
Samsung представила новую технологию памяти Selector-Only Memory (SOM)
Дата: 2024-10-27 12:23
Компания Samsung представила новую технологию памяти под названием Selector-Only Memory (SOM), которая сочетает в себе энергонезависимость и высокую скорость чтения/записи, аналогичную DRAM, а также возможность «наращивания». Для ускорения разработки SOM компания использовала передовые методы компьютерного моделирования.
SOM базируется на архитектурах памяти с перекрёстными точками, подобных памяти с изменением фазы и оперативной памяти RRAM, где используются стекированные массивы электродов. Обычно эти архитектуры требуют транзистора-селектора или диода для адресации определённых ячеек памяти.
Источник: DALL-EКомпания реализовала новый подход, исследуя материалы на основе халькогенидов, которые выполняют функции как селектора, так и элемента памяти, представив новую форму энергонезависимой памяти. Исследователи Samsung представят свои выводы на Международном собрании электронных приборов (IEDM) этого года, которое пройдет с 7 по 11 декабря в Сан-Франциско.
Южнокорейский технологический гигант провёл скрининг широкого спектра халькогенидных материалов для приложений SOM и изучил более 4000 комбинаций материалов, сузив их до 18 с помощью компьютерного моделирования на основе Ab-initio. Основное внимание уделялось улучшению дрейфа порогового напряжения и оптимизации окна памяти — двум ключевым факторам производительности SOM.
Источник: SamsungТрадиционные исследования SOM ограничивались использованием халькогенидных систем Ge, As и Se, обнаруженных в пороговых переключателях овонов (OTS). Однако Samsung утверждает, что её комплексный процесс моделирования позволил провести более широкий поиск, учитывая характеристики связи, термическую стабильность и надёжность устройства для повышения производительности и эффективности.
В последующей презентации IEDM исследователи IMEC обсудят потенциальные атомные механизмы, такие как локальная перестройка атомных связей и атомная сегрегация, которые могли бы объяснить, как работает селекторный компонент в SOM, дополнительно влияя на пороговое напряжение — важный фактор производительности памяти.
Подробнее на iXBT
Предыдущие новости
Apple сделала невозможной замену SSD в своих MacBook, а этот блогер вернул всё назад. iBoff RCC распаял слот для накопителя
Современные ноутбуки Apple, и далеко не только они, не предлагают возможности заменить SSD или установить дополнительный, так как всё распаяно на системной плате. Блогер iBoff RCC решил эту проблему, создав специальный порт для подключения накопителя. обложка видео источника Благодаря этому решению можно установить SSD вплоть до 2 ТБ, правда, автор не показал и не рассказал,...
Microsoft заключила соглашение с Ebb Carbon по удалению углерода из океана
Корпорация Microsoft заключила соглашение с компанией Ebb Carbon, специализирующейся на удалении углерода из океана, расположенной на северном краю Олимпийского полуострова штата Вашингтон, с целью потенциального удаления до 350 000 тонн CO2 в течение следующего десятилетия. Ebb Carbon использует технологию, уже применяемую виноделами и на очистных сооружениях, которая может...
Китайцы создали магнит в 800 000 раз сильнее магнитного поля Земли
Китайская лаборатория устойчивого магнитного поля (Steady High Magnetic Field Facility, SHMFF) создала резистивный магнит, создающий магнитное поле в 42,02 Тл — больше предыдущего рекорда, установленного Национальной лабораторией сильного магнитного поля Флориды в 2017 году. Магнитное поле китайского магнита примерно в 800 000 раз сильнее естественного магнитного поля Земли....
Чили и Кипр присоединились к «Соглашениям Артемиды»
Чили и Кипр стали последними странами, подписавшими «Соглашения Артемиды» (Artemis Accords) об устойчивом освоении космоса, и вошли в число новых подписавших сторон в этом месяце. На церемонии в штаб-квартире NASA 25 октября министр науки, технологий, знаний и инноваций Чили Айсен Эчеверри подписал «Соглашения» от имени своей страны. На церемонии присутствовали посол Чили в...