Компания SanDisk, производитель флеш-накопителей, анонсировала разработку инновационной технологии памяти под названием 3D Matrix Memory. Новая архитектура обещает стать доступной альтернативой традиционной оперативной памяти DRAM, предлагая сопоставимую производительность при четырёхкратном увеличении ёмкости и вдвое меньшей стоимости.

Презентация 3D Matrix Memory состоялась в рамках недавней инвесторской конференции SanDisk 2.0, где компания также представила ряд новых твердотельных накопителей, включая модель ёмкостью 128 ТБ для центров обработки данных. Кроме того, SanDisk поделилась амбициозными планами по выпуску ещё более вместительных накопителей: 256 ТБ SSD в 2026 году, 512 ТБ SSD в 2027 году и впечатляющий накопитель объёмом 1 ПБ, ожидаемый через несколько лет после этого.

Новая технология 3D Matrix Memory разрабатывается SanDisk в сотрудничестве с исследовательским центром IMEC. Она основана на архитектуре плотных массивов с инновационной конструкцией ячеек памяти, при этом сохраняя совместимость с открытыми отраслевыми стандартами, такими как CXL.

По заявлению SanDisk, 3D Matrix Memory призвана решить проблему «стены памяти», когда ёмкость и пропускная способность памяти не успевают за растущими требованиями к обработке данных. Компания позиционирует свою разработку как ответ на замедление развития технологии DRAM, связанное с окончанием действия закона Мура, увеличением разрыва между вычислительными мощностями и памятью, а также растущими затратами на производство памяти.

SanDisk утверждает, что экономическая эффективность 3D Matrix Memory будет со временем только возрастать. Согласно графику, представленному компанией, к шестому году производства технология обеспечит более чем 50-процентную экономию затрат на бит по сравнению с DRAM, демонстрируя значительно более крутое снижение стоимости за гигабайт.

План разработки 3D Matrix Memory включает несколько ключевых этапов. Важным шагом станет переход от 150-мм исследовательской фабрики Western Digital к 300-мм производственному объекту IMEC в 2024 году, что ознаменует первый значительный шаг к крупномасштабному производству.

Проект, начатый в 2017 году, прошёл путь от создания отдельных устройств до пассивных массивов и разработки КМОП-структур. Следующим важным этапом станет выпуск образцов носителей первого поколения, которые, как ожидается, достигнут ёмкости 32-64 Гбит. Однако конкретные данные о производительности пока что не раскрываются.