- Китайская память CXMT впервые преодолела... (5818)
- Теперь без сюрпризов: «Яндекс Карты»... (8061)
- Бренд CMF by Nothing показал грядущие... (7423)
- В Китае задумали гигантский авиалайнер... (7722)
- Google намеревается выпускать все Pixel за... (6310)
- Новый смартфон с 90-ваттной зарядкой и... (6190)
- Спутниковый интернет Starlink на гигабитной... (7638)
- Смартфоны Vivo получат защиту от мошенников... (7394)
- Microsoft оптимизировала контекстные меню в... (7032)
- Мобильный аккумулятор на 20 000 мАч, который... (5980)
- Представлен 240-герцевый монитор Xiaomi за... (5548)
- Новинка Asus за несколько минут превращает... (6044)
- Apple начнёт выплачивать компенсации... (6772)
- Ту-204/214 ждут большие перемены: Россия... (7535)
- Alphabet — материнская компания Google —... (5642)
- 128 ГБ памяти DDR5 теперь стоят безумные... (6320)
Apple заказывает 4-дюймовые экраны для новых iPhone
Дата: 2012-05-17 23:24
Подробнее на Yandex.ru
Предыдущие новости
Японский вариант Samsung Galaxy S III получил 2 Гбайт ОЗУ и 2-ядерный S4
Японский сотовый оператор NTT Docomo подтвердил ресурсу The Verge, что вариант смартфона Samsung Galaxy S III для их сетей получит внушительные 2 Гбайт оперативной памяти — после выхода LG Optimus LTE 2 такой объём, похоже, становится всё популярнее сегодня во...Похожие статьиApple уже заказывает 4-дюймовые экраны для нового iPhone?Источники Reuters подтвердили информацию о...
Samsung первой выпускает мобильную память LPDDR2 плотностью 4 Гбит по нормам 2x нм
В Samsung ожидают, что новая память быстро вытеснит микросхемы памяти LPDDR2 объемом 1 ГБ, выпускаемые сейчас по нормам 3x нм. Используя компоненты плотностью 4 Гбит, Samsung может изготавливать микросхемы объемом 2 ГБ, толщина которых не превышает 0,8...
Samsung первой выпускает мобильную память LPDDR2 плотностью 4 Гбит по нормам 2x нм
По сообщению компании Samsung Electronics, она первой в отрасли приступила к выпуску компонентов памяти типа LPDDR2 плотностью 4 Гбит по технологии 20-нанометрового класса. Серийный выпуск памяти, предназначенной для мобильных устройств, начался в апреле. В Samsung ожидают, что новая память быстро вытеснит микросхемы памяти LPDDR2 объемом 1 ГБ, выпускаемые сейчас по нормам 3x...
PQI заключила «флэшку» Intelligent Drive U821V в корпус из нержавеющей стали
Компания PQI сообщила о выпуске нового накопителя на базе флэш-памяти - изделие получило название Intelligent Drive U821V. Новинка заключена в корпус из нержавеющего металла, благодаря чему «флэшка» имеет привлекательный внешний вид (создатели считают ее отличным аксессуаром для владельца ультрабука) и хорошо сопротивляется неблагоприятным условиям внешней среды. Intelligent Drive...