- 17 600 мАч, инфракрасная камера, тепловизор,... (7200)
- Борец за права геймеров «слил» два... (6565)
- В Max запустили аналитику на фоне роста... (7317)
- В России массовый сбой в работе интернета —... (6607)
- Топовый 16-ядерник AMD Ryzen 9 9950X3D2... (6352)
- GOG спасла классическую версию Prince of... (7126)
- 7900 мАч и 3 дня на одной зарядке. Poco... (7290)
- Квантовый интернет стал ближе — запутанность... (6750)
- Паранормальный боевик Control Resonant ушёл... (6631)
- ИИ возвращает к жизни старое «железо»:... (6162)
- MSI оценила ноутбук Prestige 14 Flip AI+... (9918)
- Разработчики амбициозной вампирской ролевой... (7076)
- OpenAI представила ChatGPT для подростков —... (7020)
- Баланс не сходится: у Microsoft насчитали... (6271)
- Новый трейлер раскрыл дату выхода Order of... (7735)
- Обновлённый модульный смартфон Fairphone 6+... (7119)
Apple заказывает 4-дюймовые экраны для новых iPhone
Дата: 2012-05-17 23:24
Подробнее на Yandex.ru
Предыдущие новости
Японский вариант Samsung Galaxy S III получил 2 Гбайт ОЗУ и 2-ядерный S4
Японский сотовый оператор NTT Docomo подтвердил ресурсу The Verge, что вариант смартфона Samsung Galaxy S III для их сетей получит внушительные 2 Гбайт оперативной памяти — после выхода LG Optimus LTE 2 такой объём, похоже, становится всё популярнее сегодня во...Похожие статьиApple уже заказывает 4-дюймовые экраны для нового iPhone?Источники Reuters подтвердили информацию о...
Samsung первой выпускает мобильную память LPDDR2 плотностью 4 Гбит по нормам 2x нм
В Samsung ожидают, что новая память быстро вытеснит микросхемы памяти LPDDR2 объемом 1 ГБ, выпускаемые сейчас по нормам 3x нм. Используя компоненты плотностью 4 Гбит, Samsung может изготавливать микросхемы объемом 2 ГБ, толщина которых не превышает 0,8...
Samsung первой выпускает мобильную память LPDDR2 плотностью 4 Гбит по нормам 2x нм
По сообщению компании Samsung Electronics, она первой в отрасли приступила к выпуску компонентов памяти типа LPDDR2 плотностью 4 Гбит по технологии 20-нанометрового класса. Серийный выпуск памяти, предназначенной для мобильных устройств, начался в апреле. В Samsung ожидают, что новая память быстро вытеснит микросхемы памяти LPDDR2 объемом 1 ГБ, выпускаемые сейчас по нормам 3x...
PQI заключила «флэшку» Intelligent Drive U821V в корпус из нержавеющей стали
Компания PQI сообщила о выпуске нового накопителя на базе флэш-памяти - изделие получило название Intelligent Drive U821V. Новинка заключена в корпус из нержавеющего металла, благодаря чему «флэшка» имеет привлекательный внешний вид (создатели считают ее отличным аксессуаром для владельца ультрабука) и хорошо сопротивляется неблагоприятным условиям внешней среды. Intelligent Drive...