- SpaceX и ISRO открывают 2026 год серией... (843)
- 1 кВтч и литий-железо-фосфатные... (917)
- Телескоп XRISM зафиксировал рекордно чёткий... (783)
- КамАЗ К5 нового поколения с мотором на 560... (1025)
- Nvidia прокачает Pragmata на ПК трассировкой... (882)
- Телескоп «Джеймс Уэбб» зафиксировал в ранней... (949)
- AMD показала «голый» процессор EPYC Venice с... (850)
- Анонсирован смартфон Realme 16 Pro+ с... (816)
- Роботы Atlas от Boston Dynamics станут... (776)
- AMD представила ИИ-ускорители Instinct... (809)
- Honor представила смартфон Power2 с батарей... (830)
- Японский кроссовер, которому не грозит... (1013)
- Создан ИИ для помощи капитанам судов в... (872)
- Скидка до 225 тыс. рублей на Lada Vesta и до... (994)
- Nvidia наконец выпустила мониторы с... (852)
- Самый дешевый iPhone 2026 года: в ближайшее... (986)
Американская таможня начала проверку смартфонов HTC One X и EVO 4G LTE
Дата: 2012-05-18 00:01
Подробнее на 3Dnews.ru
Предыдущие новости
Sony представила новую зеркальную камеру SLT-A37
Корпорация Sony пополнила ассортимент зеркальных камер в фирменной линейке Alpha благодаря официальному анонсу модели SLT-A37, в которой используется технология полупрозрачного
Apple заказывает 4-дюймовые экраны для новых iPhone
Диагональ дисплея у новой модели iPhone может быть увеличена на 0,5 дюйма. По данным осведомленных источников The Wall Street Journal, Apple заказала у своих азиатских поставщиков 4-дюймовые экраны для "айфона" следующего...
Японский вариант Samsung Galaxy S III получил 2 Гбайт ОЗУ и 2-ядерный S4
Японский сотовый оператор NTT Docomo подтвердил ресурсу The Verge, что вариант смартфона Samsung Galaxy S III для их сетей получит внушительные 2 Гбайт оперативной памяти — после выхода LG Optimus LTE 2 такой объём, похоже, становится всё популярнее сегодня во...Похожие статьиApple уже заказывает 4-дюймовые экраны для нового iPhone?Источники Reuters подтвердили информацию о...
Samsung первой выпускает мобильную память LPDDR2 плотностью 4 Гбит по нормам 2x нм
В Samsung ожидают, что новая память быстро вытеснит микросхемы памяти LPDDR2 объемом 1 ГБ, выпускаемые сейчас по нормам 3x нм. Используя компоненты плотностью 4 Гбит, Samsung может изготавливать микросхемы объемом 2 ГБ, толщина которых не превышает 0,8...