- BMW на своём заводе в Германии заставила... (1)
- Galaxy S26 Ultra почти вдвое обошёл iPhone... (81)
- В Европе потребовали срочно оштрафовать... (68)
- Обновление Windows 11 заблокировало доступ к... (108)
- «Росатом» завершил испытания «толерантного»... (139)
- CD Projekt Red «совсем скоро» прокачает... (72)
- Anthropic удвоила лимиты Claude для всех... (106)
- Совершенно новый Mercedes-Benz G-класса... (230)
- Creative выпустила звуковую карту Sound... (189)
- Память DDR5 подешевела в Европе в марте на... (259)
- Классическая «Готика» спустя 25 лет выйдет... (254)
- Vivo и iQOO анонсировали повышение цен на... (214)
- Недорогие iPhone e перейдут на экраны LTPO в... (209)
- «Лара заслуживает большего»: фанаты... (401)
- В России взлетели цены на видеокарты из-за... (410)
- Первый запуск с Байконура после большого... (243)
Apple заказывает 4-дюймовые экраны для новых iPhone
Дата: 2012-05-17 23:24
Подробнее на Yandex.ru
Предыдущие новости
Японский вариант Samsung Galaxy S III получил 2 Гбайт ОЗУ и 2-ядерный S4
Японский сотовый оператор NTT Docomo подтвердил ресурсу The Verge, что вариант смартфона Samsung Galaxy S III для их сетей получит внушительные 2 Гбайт оперативной памяти — после выхода LG Optimus LTE 2 такой объём, похоже, становится всё популярнее сегодня во...Похожие статьиApple уже заказывает 4-дюймовые экраны для нового iPhone?Источники Reuters подтвердили информацию о...
Samsung первой выпускает мобильную память LPDDR2 плотностью 4 Гбит по нормам 2x нм
В Samsung ожидают, что новая память быстро вытеснит микросхемы памяти LPDDR2 объемом 1 ГБ, выпускаемые сейчас по нормам 3x нм. Используя компоненты плотностью 4 Гбит, Samsung может изготавливать микросхемы объемом 2 ГБ, толщина которых не превышает 0,8...
Samsung первой выпускает мобильную память LPDDR2 плотностью 4 Гбит по нормам 2x нм
По сообщению компании Samsung Electronics, она первой в отрасли приступила к выпуску компонентов памяти типа LPDDR2 плотностью 4 Гбит по технологии 20-нанометрового класса. Серийный выпуск памяти, предназначенной для мобильных устройств, начался в апреле. В Samsung ожидают, что новая память быстро вытеснит микросхемы памяти LPDDR2 объемом 1 ГБ, выпускаемые сейчас по нормам 3x...
PQI заключила «флэшку» Intelligent Drive U821V в корпус из нержавеющей стали
Компания PQI сообщила о выпуске нового накопителя на базе флэш-памяти - изделие получило название Intelligent Drive U821V. Новинка заключена в корпус из нержавеющего металла, благодаря чему «флэшка» имеет привлекательный внешний вид (создатели считают ее отличным аксессуаром для владельца ультрабука) и хорошо сопротивляется неблагоприятным условиям внешней среды. Intelligent Drive...