- Samsung Galaxy S27 Ultra радикально поменяет... (210)
- И снова быстрее Усэйна Болта и всех людей на... (308)
- В прошлом квартале рынок CPU сократился на... (503)
- Представлен сверхъяркий лазерный проектор... (394)
- Intel Core Ultra 7 265KF, до 128 ГБ ОЗУ, RTX... (344)
- С камерой или без неё на выбор. Анонсирован... (518)
- Настоящий компактный смартфон с экраном 4,7... (534)
- Настоящий компактный смартфон с экраном 4,7... (458)
- DeepSeek снова меняет цены после недавнего... (401)
- Дочерняя компания Geely получила разрешение... (537)
- Первый смартфон почти без рамки и с новым... (461)
- Представлен робот-пылесос Xiaomi, который... (510)
- Еще до Samsung и Apple такой смартфон... (454)
- Он снимает лучше, чем iPhone 17 Pro, Oppo... (625)
- Anthropic собирается указать общественное... (833)
- Новый Sony Xperia 10 VIII со старым... (423)
Apple заказывает 4-дюймовые экраны для новых iPhone
Дата: 2012-05-17 23:24
Подробнее на Yandex.ru
Предыдущие новости
Японский вариант Samsung Galaxy S III получил 2 Гбайт ОЗУ и 2-ядерный S4
Японский сотовый оператор NTT Docomo подтвердил ресурсу The Verge, что вариант смартфона Samsung Galaxy S III для их сетей получит внушительные 2 Гбайт оперативной памяти — после выхода LG Optimus LTE 2 такой объём, похоже, становится всё популярнее сегодня во...Похожие статьиApple уже заказывает 4-дюймовые экраны для нового iPhone?Источники Reuters подтвердили информацию о...
Samsung первой выпускает мобильную память LPDDR2 плотностью 4 Гбит по нормам 2x нм
В Samsung ожидают, что новая память быстро вытеснит микросхемы памяти LPDDR2 объемом 1 ГБ, выпускаемые сейчас по нормам 3x нм. Используя компоненты плотностью 4 Гбит, Samsung может изготавливать микросхемы объемом 2 ГБ, толщина которых не превышает 0,8...
Samsung первой выпускает мобильную память LPDDR2 плотностью 4 Гбит по нормам 2x нм
По сообщению компании Samsung Electronics, она первой в отрасли приступила к выпуску компонентов памяти типа LPDDR2 плотностью 4 Гбит по технологии 20-нанометрового класса. Серийный выпуск памяти, предназначенной для мобильных устройств, начался в апреле. В Samsung ожидают, что новая память быстро вытеснит микросхемы памяти LPDDR2 объемом 1 ГБ, выпускаемые сейчас по нормам 3x...
PQI заключила «флэшку» Intelligent Drive U821V в корпус из нержавеющей стали
Компания PQI сообщила о выпуске нового накопителя на базе флэш-памяти - изделие получило название Intelligent Drive U821V. Новинка заключена в корпус из нержавеющего металла, благодаря чему «флэшка» имеет привлекательный внешний вид (создатели считают ее отличным аксессуаром для владельца ультрабука) и хорошо сопротивляется неблагоприятным условиям внешней среды. Intelligent Drive...